iDEAL Semiconductorは、低オン抵抗を特徴とする200V MOSFETを発表した。高効率と高電流対応によりモータードライブなどに適する製品である。
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Texas Instrumentsは、絶縁型電源モジュールの新製品「UCC34141-Q1」「UCC33420」を発表した。TI独自のマルチチップパッケージング技術「IsoShield」を採用し、個別のソリューションを用いる場合と比べて電力密度を最大3倍に高める。電気自動車（EV）やデータセンターでの活用を見込む。
浅井涼()
東芝デバイス＆ストレージは、車載機器のSSR向けフォトボルタイック出力フォトカプラ「TLX9920」の出荷を開始した。MOSFETと組み合わせて用いることで、高電圧および大電流のスイッチングに対応する。
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ロームは、小型ウェアラブル機器向けのNFC対応ワイヤレス給電ICチップセット「ML7670」「ML7671」の販売を開始した。最大250mWの給電に対応し、スイッチングMOSFETなどを内蔵している。
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STマイクロエレクトロニクスは、第2世代「MasterGaN」ハーフブリッジファミリーのパワーSiP「MasterGaN6」を発表した。オン抵抗140mΩのGaNパワートランジスタを搭載している。
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新電元工業は、高耐圧、大電流のファストリカバリーダイオード「Z」シリーズに、4機種を追加した。繰り返しピーク逆電圧は650V、接合部温度は175℃を保証し、従来品に比べてノイズを約40％低減した。
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Navitas Semiconductorは第5世代「GeneSiC」プラットフォームを発表した。トレンチアシストプレーナー構造によって損失を低減し、高効率と高信頼性を実現するものである。
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Infineon Technologiesのシングルチャンネル絶縁ゲートドライバー「1ED301xMC121」シリーズは、フォトカプラベースの設計とピン互換性のある製品だ。
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今回は電流制御型、電圧制御型にかかわらずON/OFF型コンバーターが持つ潜在的な不安定要素について説明します。状態平均化法の結果の意味を図式解法を用いた解釈を試みます。
加藤博二（Sifoen）()
日清紡マイクロデバイスは、マイクロ波方式WPT向けダイオード「NT9000」「NT9001」「NT9002」「NT9003」を発売する。低順方向電圧と高DC耐圧を両立した。
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STマイクロエレクトロニクスは、車載電源モジュール向けのガルバニック絶縁型4Aゲートドライバー「STGAP2SA」「STGAP2HSA」を発表した。応答時間60ナノ秒の高速動作が可能となっている。
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米EDNが2025年の「Product of the Year Awards」の受賞製品を発表した。13部門で100超の製品を審査している。前編となる今回は、センサーや電源などのカテゴリーでの受賞製品を紹介する。
Gina Roos()