STマイクロエレクトロニクスは、48V車載電源システム向けプリドライバー「L98GD8E」を発表した。8チャンネルの出力を備えていて、ISO 21780規格に準拠している。
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オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。
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EPCは、小型BLDCモーター向け窒化ガリウム（GaN）ベース三相インバーター評価ボード「EPC91132」を発表した。ドローンやロボット関節向けに小型、高効率のモーター駆動を実現する。
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リテルヒューズは、80VDCで14kAの遮断容量を可能にする、表面実装型ヒューズ「NANO2 708」シリーズを発表した。12.5×10mmのコンパクトな表面実装パッケージを採用し、定格電流は60〜200Aに対応する。
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Diodesは、低オン抵抗MOSFETを内蔵した車載向けスマートロードスイッチ「DML1012ALDSQ」を発表した。高効率な電源シーケンス制御と各種保護機能により、インフォテインメントシステムなどに適する。
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Texas Instrumentsは、EIS機能を統合した車載向けバッテリーモニター「BQ79826Z-Q1」を発表した。高精度なセル監視と予兆診断によって電気自動車（EV）やエネルギー貯蔵システムの安全性と性能向上を支援する。
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前回は、そもそも半導体プロセスエンジニアが何をしているのか、仕事の面白さや難しさはどんなところかをお伝えしました。今回は、プロセスエンジニアという仕事の将来性やキャリアパスに焦点を当ててみます。
鳥海五歩()
「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2026年6月号を発行しました。EE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は『「TECHNO-FRONTIER 2026」の歩き方』です。
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今回は状態平均化法とシミュレーションの結果を比較し、結果について考察していきます。
加藤博二（Sifoen）()
三菱電機は、xEV向けの第5世代SiC-MOSFETチップ「WF0007Q-1200AA」「WF0005Q-0750AA」のサンプル提供を開始する。同社前世代品と比べてオン抵抗が低減している。
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Navitas Semiconductorは、1200V〜3300Vの炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに6000V超の絶縁性能を備えた「UHV-TO-247-4-ISO」を開発した。熱性能やEMI特性を改善し、高電圧用途に対応する。
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インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンター用120V対応ゲートドライバー「EiceDRIVER 2EDL90xG3」シリーズを発表した。SiとGaNの電源設計を共通フットプリントで構築できる。
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Lotus Microsystemsは、AIインフラ向け垂直電力供給プラットフォーム「vStrata」を発表した。電力変換を負荷近傍に配置することで電力損失と熱的制約を低減し、高効率化を実現する。
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トレックス・セミコンダクター（以下、トレックス）は2026年6月18日、多機能ロードスイッチIC「XC8115／8116」シリーズを発売した。基本的な設計から見直して開発したことで「消費電流ゼロを実現した」（同社）という。
杉山康介()