修理を指導している友人から、技術支援の依頼があった。聞けば、筆者が30年ほど前、半導体製造装置の業務に従事していた時に関わった温調器に関する問題だったため、少し踏み込んで調べてみることにした。
山平豊（Sunny Thank You）()
Alpha & Omega Semiconductorは、積層ダイ構造を採用したハーフブリッジMOSFET「AOPL66801」を発表した。電力密度を高めるとともに、寄生インダクタンスを低減して高効率な電力変換を実現する。
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ミネベアパワーデバイスは、定格電圧3.3kVの低インダクタンスIGBTモジュール「LV-nHPD2」シリーズに、600A定格の「MBM600FS33G2」、800A定格の「MBM800GS33G2」を追加した。独自の次世代チップ「サイドゲート構造IGBT（G2版）」を搭載する。
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東芝デバイス＆ストレージの「TPM1R408RH」は、オン抵抗と性能指数を改善した80V NチャネルMOSFETである。電源の電力損失を低減し、高電力密度化に貢献する。
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ロームは、車載向け電動コンプレッサーやHVヒーター、産業機器向けインバーターなどに適した、650V耐圧の第4世代IGBTを開発した。導通損失を1.55Vに抑えている。
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ロームは、同社の電源IC「BD83070GWL」向けのレファレンス基板「BD83070GWL-EVK-002」を開発した。BD83070GWLとコイル、コンデンサーなど計5点の部品で構成し、実装面積を3.3×3.9mmに抑えている。
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Texas Instruments（以下、TI）の日本法人である日本テキサス・インスツルメンツ（以下、日本TI）は2026年6月24日、電気化学インピーダンス分光法（EIS）エンジンを統合したバッテリーモニターIC「BQ79826Z-Q1」を発表した。EIS技術の採用により、EVやAIデータセンターなどの厳しいバッテリー監視への要求に応える。
杉山康介()
インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素（SiC）双方向スイッチ（BDS）を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。
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ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。
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STマイクロエレクトロニクスは、48V車載電源システム向けプリドライバー「L98GD8E」を発表した。8チャンネルの出力を備えていて、ISO 21780規格に準拠している。
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オンセミは、GaNパワーポートフォリオ「GaNEXUS」を発表した。同社発表によると、AIサーバの低、中電圧システムにおいて約30〜60％、高電圧用途の高周波AC-DCおよび共振ステージで最大約60％、磁気部品を小型化できるという。
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EPCは、小型BLDCモーター向け窒化ガリウム（GaN）ベース三相インバーター評価ボード「EPC91132」を発表した。ドローンやロボット関節向けに小型、高効率のモーター駆動を実現する。
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リテルヒューズは、80VDCで14kAの遮断容量を可能にする、表面実装型ヒューズ「NANO2 708」シリーズを発表した。12.5×10mmのコンパクトな表面実装パッケージを採用し、定格電流は60〜200Aに対応する。
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