低スイッチング損失／低導通損失 600V耐圧NチャンネルパワーMOSFET：東芝 TK024N60Z1

東芝デバイス＆ストレージは、600V耐圧スーパージャンクション構造のNチャンネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」を製品化した。ドレインソース間のオン抵抗を最大0.024Ωに抑えている。

[EDN Japan]

　東芝デバイス＆ストレージは、スーパージャンクション構造のDTMOSVI（ディーティーモスシックス） 600Vシリーズのプロセスを採用したNチャンネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」を製品化した。ドレインソース間のオン抵抗は最大0.024Ωで、DTMOSVI 600Vシリーズでは最小だ。

600VパワーMOSFET「TK024N60Z1」 出所：東芝デバイス＆ストレージ

ドレインソース間オン抵抗が約13％低減

　DTMOSVI 600Vシリーズは、同社従来品の「DTMOSIV-H」シリーズと比較して、単位面積当たりのドレインソース間オン抵抗が約13％減少。性能指数のドレインソース間オン抵抗×ゲートドレイン間電荷量は約52％減少した。低スイッチング損失と低導通損失を両立できるため、スイッチング電源の効率向上に寄与する。

ドレインソース間オン抵抗×ゲートドレイン間電荷量特性図 出所：東芝デバイス＆ストレージ

　パッケージは15.9×21.0×5.0mmのTO-247を採用した。ドレイン電流の最大定格は80A、チャンネル温度は150℃。ゲート入力電荷量が140nC、ゲートドレイン間電荷量が37nC、入力容量が8420pFだ（いずれも代表値）。データセンターのサーバなど向けスイッチング電源、UPS（無停電電源装置）、太陽光発電パワーコンディショナーなどでの用途に適する。

　回路設計のサポートツールとしては、短時間での回路動作検証が可能なSPICEモデル（G0モデル）や、より正確にパワーデバイスの過渡特性をシミュレーション可能な高精度SPICEモデル（G2モデル）を提供する。

電源回路例 出所：東芝デバイス＆ストレージ