車載SIC MOSFET向け 非対称TVSダイオード：リテルヒューズ TPSMB非対称シリーズ

リテルヒューズは、車載用炭化ケイ素（SiC） MOSFET向けに、非対称の過渡電圧サプレッサーダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズを発表した。高性能な過電圧保護が必要なSiC MOSFETゲートドライバーに対し、優れた保護機能を提供する。

[EDN Japan]

　リテルヒューズは2025年2月、車載用炭化ケイ素（SiC）MOSFET向けに、非対称の過渡電圧サプレッサー（TVS）ダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズを発表した。SiC MOSFETゲートドライバーに対する保護機能を集約している。

非対称の過渡電圧サプレッサーダイオード「TPSMB非対称TVSダイオード」シリーズ 出所：リテルヒューズ

SiC MOSFETゲートドライバーに保護機能を提供

　同シリーズは、ゲートドライバー保護に必要とされた複数のツェナーダイオードやTVSコンポーネントに代わる、単一のコンポーネントソリューションだ。高性能な過電圧保護が必要とされるSiC MOSFETゲートドライバーに対して優れた保護機能を提供し、設計作業を簡素化できる。

　非対称設計を採用したことで、SiC MOSFETの正負で異なるゲートドライバー電圧定格に対応。ピークパルス電力消費は600Wで、過渡的な過電圧事象から保護する。

　パッケージはDO-214AA（SMB J-Bend）を採用し、スペースに制約のある自動車の設計に適する。動作周波数は最大2MHzで、安定した静電容量を維持する。

　車載充電器、EVトラクションインバーター、IOインタフェースなど、高性能な過電圧保護が必要不可欠な分野での利用に適する。AEC-Q101に適合している。