理想ダイオードとして利用できるNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC：新電元工業 MF2008SW

新電元工業は、車載機器向けのハイサイドNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC「MF2008SW」を発売した。NチャンネルMOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードや半導体リレーとして使用できる。

[EDN Japan]

　新電元工業は2025年2月、車載機器向けのハイサイドNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC「MF2008SW」を発売した。NチャンネルMOSFETと組み合わせることで、理想ダイオードや半導体リレーとして使用できる。

ハイサイドNチャンネルMOSFETゲートドライバーIC「MF2008SW」 出所：新電元工業

　同社の前モデル「MF2007SW」に順方向制御機能を取り入れ、逆電流が流れる前段階でゲートを停止できる。これによって軽負荷時でも逆電流を防止する。理想ダイオードとして使用する場合、従来のショットキーバリアダイオード「D30FDC4S」に比べて電力損失を約72％、温度上昇を約51％抑制可能。車載製品など、逆接続や逆電流保護を要する機器の小型化や電力損失の低減に寄与する。

電力損失の比較 出所：新電元工業

双方向導通の半導体リレーとしても使用可能

　2個のNチャンネルMOSFETと併用することで、双方向導通の半導体リレーとしても使用できる。ON／OFF信号への動作時間が速く、既存のメカニカルリレーに比べて応答時間を約1000分の1（OFF時）に短縮した。また、実装面積を約96％縮小する。

応答時間比較 出所：新電元工業

　動作電圧は4.5〜65V、動作時消費電流は200μA、スタンバイ電流は5μA以下（外部信号あり）。昇圧回路出力電流は75μA（Typ.）、昇圧電圧は12.5V（Typ.）、順方向制御は30〜45mVだ。

　先進運転支援システム（ADAS）や自動運転向けの車載ECU、シーケンサー、CNC、サーバなど電源出力部Oringなどでの用途に適する。