「EE Times Japan×EDN Japan 統合電子版」の2024年2月号を発行しました。今号のEE Exclusive（電子版限定先行公開記事）は、『「3D NANDの進化」に必要な要素とは 』です。
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スイスビットは、5年間で最大1.5DWPDの耐久性を備えた、高性能PCIe SSD「N3202」シリーズを発表した。同社独自の電源損失保護機能「powersafe」と高度なセキュリティ機能を搭載する。
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マイクロンテクノロジーは、LPDDR5Xベースの低消費電力圧縮アタッチドメモリモジュール「LPCAMM2」を発表した。最大転送速度は、現行のDDR5 SODIMMの5600Mビット/秒を上回る9600Mビット/秒を達成している。
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マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。
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マイクロン・テクノロジーは、PCIe Gen4に対応した、メインストリームデータセンター向けNVMe SSD「Micron 7500」を発表した。232層NANDフラッシュを搭載し、競合品に比べてランダム書き込みパフォーマンスを最大242％向上できる。
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マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800〜7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。
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キオクシアは、接続規格「PCIe4.0」対応のパーソナル向けSSD「EXCERIA PLUS G3」シリーズを発売した。ゲーミングPCなど、高速性を重視するメインストリームユーザー向けとなる。
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キオクシアは、「e-MMC Ver.5.1」に準拠した組み込み式フラッシュメモリを開発し、サンプル出荷を開始した。3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」とコントローラーを内蔵し、機器側のプロセッサ負荷を軽減できる。
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TechInsightsによると、Huaweiの新型5Gスマートフォン「Mate 60 Pro」にはSMIC製の7nm SoCのほか、韓国SK hynixの12GBのLPDDR5メモリと512GBのNAND型フラッシュメモリも搭載されていたという。
Majeed Ahmad()
スイスビットは、4G〜8Gバイトの小容量フラッシュストレージとして、組み込み向け153ボールBGAタイプの「EM-30」シリーズと、SDカード、microSDカードタイプの「S-56（u）」シリーズを発表した。
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ルネサス エレクトロニクスは、DDR5メモリモジュール向けに、第3世代RCD ICと第1世代CKD ICを発表した。サーバ用とクライアント用DIMMの6400MT/秒、7200MT/秒をサポートする。
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データセンター向けSSDを個々のアプリケーション要求に応じて最適化することで得られる、3つのメリットについて説明します。
友森健一郎（スイスビットジャパン）()
インフィニオン テクノロジーズは、オートトークスのV2X向けSoC（System on Chip）「TEKTON3」「SECTON3」と連携可能な車載グレードの揮発性メモリとして、「HYPERRAM 3.0」を提供する。
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キオクシアは、UFS 4.0に対応した組み込み式フラッシュメモリの次世代品を開発した。前世代品と比較して、シーケンシャルライトやランダムライト、ランダムリードが向上している。
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