キオクシアは、直接液冷方式に対応したエンタープライズSSD「KIOXIA CM9シリーズ」のDLC対応モデルを発表した。限定顧客向けにサンプル出荷を開始している。
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2026年8月に開催された「Hot Chips 2026」から、Samsung Electronicsおよび、SamsungとXCENAの講演を紹介したい。いずれも、AIプロセッサのボトルネックである消費電力を下げる方法として、NMC（Near-Memory Compute）というアプローチを提案。2つの講演内容を解説し、AIプロセッサを含むシステムアーキテクチャの将来像を見てみたい。
大原雄介()
キオクシアは、E1.Lフォームファクターを採用した第8世代「BiCS FLASH」QLC（Quad Level Cell）フラッシュメモリ搭載SSD「KIOXIA LD4シリーズ」を開発した。同社の第8世代BiCS FLASH QLCフラッシュメモリ搭載SSDとして初めて、E1.Lフォームファクターを採用した製品になる。
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AIの進化はGPUや大規模言語モデル（LLM）などに焦点が当たりがちです。だが、目立たないながらもAIインフラの性能を大きく左右する要素の一つがストレージです。本稿では、データセンターとエッジという2つの現場に共通する基盤技術として、ストレージの供給網と技術要件を解説します。
友森健一郎（スイスビットジャパン）()
Teledyne HiRel SemiconductorsとEverspin Technologiesが、磁気抵抗メモリ（MRAM）ソリューションで提携を発表した。この提携は、航空宇宙や防衛などの分野において、MRAMの採用を加速するきっかけになるかもしれない。
Majeed Ahmad()
キオクシアは、第10世代BiCS FLASH TLCフラッシュメモリを搭載した、エンタープライズSSD「KIOXIA CM10」シリーズを開発した。PCIe 6.0に対応している。
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NEO Semiconductorは、AIメモリシステムにおけるSRAMとDRAMのスケーリング限界を克服するメモリプラットフォーム「NEO.AI」を発表した。
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Innodiskは、最大1万2800MT/秒のデータ転送速度に対応し、従来のDDR5-8000 RDIMMに比べて帯域幅を60％高めたMRDIMMを投入する。
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キオクシアは、オンデバイスAIに対応したモバイル機器やエッジデバイス向けに、UFS 5.0対応組み込み式フラッシュメモリの1Tバイトおよび512Gバイト品のサンプル出荷を開始した。
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ルネサス エレクトロニクスは、次世代AIや高性能コンピューティング（HPC）に向けた第3世代MRDIMM用「メモリインタフェースチップセット」を発表した。DDR5ベースのサーバプラットフォームと互換性を保ちながらメモリ帯域幅を25％改善し、最大16000Mトランスファ/秒の高速データ伝送を実現する。
馬本隆綱()
Rambusは、最大9600MT/sで動作するDDR5 RDIMM向けチップセットを発表した。クロック制御や電源管理機能を統合し、高速動作時の信号品質と電源品質の確保に貢献する。
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Samsung Electronicsは、PCIe 6.0対応エンタープライズSSD「PM1763」の量産を開始した。AIおよびHPCサーバ向けに最適化し、従来比で最大2倍の性能と高い電力効率を実現する。
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スイスビットは、組み込みアプリケーション向けのPCIe Gen4 SSD「N7000」シリーズを発表した。容量、機能、温度範囲が異なる30種類以上をラインアップする。
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Kingston Technologyは、「Kingston FURY Renegade Pro DDR5 RDIMM ヒートスプレッダモデル」など2製品を発売した。NVMeインタフェースを採用したデータセンター向けSSDの新容量モデルも発表している。
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