32GビットDDR5 DRAM採用のメモリモジュール：マイクロン 128GバイトDDR5 RDIMM

マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。

» 2023年12月06日 09時00分公開

[EDN Japan]

　マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。AI（人工知能）やデータセンター、IMDB（メモリ内データベース）などでの用途に適する。

128GバイトDDR5 RDIMM 出所：マイクロン・テクノロジー

　同社の1βテクノロジーを搭載した32GビットDDR5 DRAMを採用し、3DS TSV（シリコン貫通ビア）を用いた競合製品と比較して、ビット密度が45％以上向上した。エネルギー効率は最大24％、AI学習のパフォーマンスは最大28％向上している。また、レイテンシーは最大16％低減した。

DRAMチップのアスペクト比を最適化

　32GビットDRAMの製造を効率化するため、DRAMチップのアスペクト比を最適化した。リフレッシュ管理機能や電圧ドメインを備え、電力供給ネットワークを最適化してエネルギー効率を向上できる。

　同製品は2024年に、4800MT/秒、5600MT/秒、6400MT/秒に対応したプラットフォームに採用される予定。将来的には、最大8000MT/秒に対応したプラットフォームに向けて設計する計画だ。

232層TLC NAND採用データセンター向けSSD
マイクロンテクノロジーは、2種のデータセンター向けSSDを発表した。TLC NANDフラッシュを採用した「Micron 6500 ION NVMe SSD」と、大量書き込みに対応する「Micron XTR NVMe SSD」となる。
PCIe Gen4対応、232層NAND採用のデータセンター向けNVMe SSD
マイクロン・テクノロジーは、PCIe Gen4に対応した、メインストリームデータセンター向けNVMe SSD「Micron 7500」を発表した。232層NANDフラッシュを搭載し、競合品に比べてランダム書き込みパフォーマンスを最大242％向上できる。
転送速度が最大7200MT/秒、1βプロセス採用の16GビットDDR5 DRAM
マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800～7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。