キオクシアは、新世代のUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイト、512Gバイト、1Tバイトの3つの容量を提供する。パッケージは9×13mmサイズの153ボールBGAで、前世代より約18%小型化している。
キオクシアは2024年4月、新世代のUFS4.0対応組み込み式フラッシュメモリ3製品のサンプル出荷を開始した。256Gバイトの「THGJFMT1E45BATV」、512Gバイトの「THGJFMT2E46BATV」、1Tバイトの「THGJFMT3E86BATZ」を提供する。1Tバイト製品については、同年6月よりサンプル出荷を開始予定だ。
同社の前世代品となる512Gバイトの「THGJFLT2E46BATP」と比較して、ライトおよびリード速度はシーケンシャルライトが約15%、ランダムライトが約50%、ランダムリードが約30%向上している。
パッケージは9×13mmサイズの153ボールBGAで、パッケージ厚は256Gバイトと512Gバイトが0.8mm、1Tバイトが0.9mmとなる。前世代のUFS4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の11×13mmと比較して、約18%小型化している。
同社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」を採用し、コントローラーと共にJEDEC規格のパッケージに統合した。
UFS 4.0は、MIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応していて、理論上は1レーンあたり最大23.2Gビット/秒、デバイスあたり最大46.4Gビット/秒のインタフェース速度をサポートする。UFS 3.1とは下位互換性を有し、UFS 3.1対応プラットフォームでも使用できる。
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