第2世代DDR5 MRDIMM向けメモリインタフェースチップセット：ルネサス RRG50120、RRG51020、RRG53220

ルネサスエレクトロニクスは、第2世代のDDR5サーバ用MRDIMM向けのメモリインタフェースチップセットを発表した。同社が既に提供しているDDR5向けの温度センサー、SPDハブと組み合わせて使用できる。

» 2024年11月27日 13時30分公開

[EDN Japan]

　ルネサスエレクトロニクスは2024年11月、第2世代のDDR5サーバ用MR（マルチプレックスランク）DIMM向けのメモリインタフェースチップセットを発表した。既にサンプル出荷を開始していて、2025年1～6月の量産を予定している。

　具体的には、MRCD（マルチプレックスレジスタードクロックドライバー）「RRG50120」、MDB（マルチプレックスデータバッファー）「RRG51020」、PMIC（パワーマネジメントIC）「RRG53220」の3種をそろえる。

第2世代DDR5 MRDIMM向けメモリインタフェースチップセット出所：ルネサスエレクトロニクス

最大12.8Gバイト/秒のデータ転送速度に対応

　RRG50120は、同社の第1世代品と比べて消費電力が45％低減。RRG51020とともに、最大12.8Gバイト/秒のデータ転送速度に対応した。また、RRG53220は電気的オーバーストレス保護機能を備えていて、電力効率にも優れる。高電流、低電圧動作に適する。

　今回開発したチップセットは、いずれも同社が既に提供しているDDR5向けの温度センサー、SPD（シリアルプレゼンス検出）ハブと組み合わせて使用できる。

　第2世代のDDR5 MRDIMMは、転送速度が最大1万2800Mトランスファー/秒で、メモリ帯域幅が第1世代の1.35倍に拡大した。AI（人工知能）やHPC（ハイパフォーマンスコンピューティング）などでの用途に適する。

SPD5118に準拠したDDR5 DIMM用SPD　I3Cにも対応
エイブリックは、DDR5メモリモジュール向けICのSPD（シリアルプレゼンス検出）「S-34HTS08AB」の販売を開始した。デバイス間の通信を仲介するHUB機能を搭載している。また、I2Cに加えてI3C通信規格にも対応した。
32GビットDDR5 DRAM採用のメモリモジュール
マイクロン・テクノロジーは2023年11月、モノリシックチップベースの128GバイトDDR5 RDIMMを発表した。競合製品と比較して、ビット密度は45％以上、エネルギー効率は最大24％、AI（人工知能）学習のパフォーマンスは最大28％向上している。
転送速度が最大7200MT/秒、1βプロセス採用の16GビットDDR5 DRAM
マイクロンテクノロジーは、1βプロセスを採用した、16GビットのDDR5 DRAMを発表した。転送速度は4800～7200MT/秒で、AIの学習や推論、生成AI、IMDBデータ分析などのアプリケーションの稼働を高いパフォーマンスで実行できる。
DDR5向け第3世代RCD、第1世代CKD
ルネサスエレクトロニクスは、DDR5メモリモジュール向けに、第3世代RCD ICと第1世代CKD ICを発表した。サーバ用とクライアント用DIMMの6400MT/秒、7200MT/秒をサポートする。
LPDDR5Xベースの低消費電力メモリモジュール
マイクロンテクノロジーは、LPDDR5Xベースの低消費電力圧縮アタッチドメモリモジュール「LPCAMM2」を発表した。最大転送速度は、現行のDDR5 SODIMMの5600Mビット/秒を上回る9600Mビット/秒を達成している。
SK hynix製メモリも搭載、Huaweiの5Gスマホが業界に波紋
TechInsightsによると、Huaweiの新型5Gスマートフォン「Mate 60 Pro」にはSMIC製の7nm SoCのほか、韓国SK hynixの12GBのLPDDR5メモリと512GBのNAND型フラッシュメモリも搭載されていたという。