「15nmプロセス」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

CBA技術を採用したキオクシアの「BiCS FLASH第8世代」：
PR：2枚のウエハーを高精度に貼り合わせて高密度化　ストレージに新たな価値をもたらす3次元フラッシュメモリ
AI（人工知能）やDX（デジタルトランスフォーメーション）によってデータ量が爆発的に増加する中、NAND型フラッシュメモリの重要性がますます高まっている。キオクシアが量産を開始した3次元フラッシュメモリBiCS FLASH 第8世代は、2枚のウエハーを高精度に貼り合わせる「CMOS directly Bonded to Array（CBA）」という新技術を導入し、記憶密度と性能の向上に成功した。（2024/7/30）

技術的な課題は山積も：
「FinFETの終えん」に備える　今後10年でGAAへの移行が加速？
10年以上、先端半導体をけん引してきたFinFETだが、今後は新しいトランジスタ構造であるGAA（Gate-All-Around）への移行が本格化すると考えられる。（2024/4/11）

Canon Expo 2023：
巨大な半導体製造装置が目の前に？　キヤノンが最新機を実寸大で紹介
キヤノンおよびキヤノンマーケティングジャパンはプライベートイベント「Canon EXPO 2023」で最新半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を実寸大パネルを用いて紹介した。（2023/10/26）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
失敗できないEUV採用Intel 4、Intelが採った手堅い方法とは
エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、アイルランドのFab34で量産が始まったEUV採用のIntel 4について紹介する。（2023/10/16）

QDの動的構造も原子レベルで解明：
東京大、純青色発光量子ドットの精密合成に成功
東京大学は、純青色発光量子ドットを高精度かつ無欠陥で合成し、ディスプレイ発色の国際規格「BT.2020」が定める「純粋な青色（467nm）」に極めて近い発光波長（463nm）を実現した。（2022/11/14）

湯之上隆のナノフォーカス（55）：
半導体の微細化は2035年まで続く 〜先端ロジックのトランジスタと配線の行方
2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV（極端紫外線）露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。（2022/10/28）

ガラス窓に応用、省エネ社会実現へ：
可視・電波透過性が高い透明反射遮熱フィルム開発
東京大学は、省エネガラス窓に応用できるフレキシブルな「透明反射遮熱フィルム」を開発した。可視光や電波の透過性が高く、熱線を遮る能力にも優れている。5G（第5世代移動通信）で用いられるマイクロ波帯域の電波を遮ることも無いという。（2022/10/24）

12本接続可能、光スイッチボックス：
横河計測、光ファイバー試験器用OTDRユニット発売
横河計測は、光ファイバー試験器「AQ7280 OTDR」シリーズとして新たに、3種類のOTDRユニットと光スイッチボックス「AQ3550」の販売を始めた。光ファイバーの素線やケーブルの評価試験用途に向ける。（2022/8/17）

福田昭のデバイス通信（318） imecが語る3nm以降のCMOS技術（21）：
3nm以降のCMOSロジックを支える多層配線技術
「IEDM2020」の講演内容を紹介するシリーズ。今回から、「次世代の多層配線（BEOL）技術」の講演内容を紹介していく。（2021/9/1）

組み込み開発ニュース：
火山の噴火予知につながる!? 世界最小の波長掃引量子カスケードレーザーを開発
NEDOと浜松ホトニクスは、同社独自のMEMS技術と光学実装技術を活用することにより、従来製品の約150分の1となる「世界最小サイズ」の波長掃引QCL（量子カスケードレーザー）を開発した。火口付近の火山ガスを、長期間かつ安定的に、リアルタイムでモニタリングできる持ち運び可能な分析装置の実現につなげられる。（2021/8/18）

ローム RLD90QZW3：
LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード
ロームは、LiDAR用75W高出力半導体レーザーダイオード「RLD90QZW3」を開発した。225μmの狭発光幅と21％の電力光変換効率を備え、AGVやロボットに搭載するLiDARの長距離対応と高精度化に貢献する。（2021/7/29）

湯之上隆のナノフォーカス（40）：
Intelの逆襲なるか、ゲルシンガーCEOが描く「逆転のシナリオ」
Pat Gelsinger氏は、Intelの新CEOに就任して以来、次々と手を打っている。本稿では、Gelsinger CEOが就任後のわずか5カ月で、打つべき手を全て打ったこと、後はそれを実行するのみであることを示す。ただし、その前には、GF買収による中国の司法当局の認可が大きな壁になることを指摘する。（2021/7/28）

福田昭のデバイス通信（312） imecが語る3nm以降のCMOS技術（15）：
次々世代のトランジスタ「シーケンシャルCFET」の製造プロセス
今回は、下側（底側、ボトム側）のトランジスタを作り込んでから、その上に別のウエハーを貼り合わせて上側（頂側、トップ側）のトランジスタを作成する「シーケンシャル（Sequential）CFET」の製造プロセスを解説する。（2021/7/27）

EE Exclusive：
スマホ搭載デバイス分析 〜完全分離されたAppleとHuaweiのエコシステム
米中間の貿易戦争が悪化の一途をたどる中、この2大経済大国の関係が破綻する可能性を示す、「デカップリング（Decoupling、分断）」というバズワードが登場している。しかし目の前の問題として、「本当に分断は進んでいるのだろうか」「マクロ経済レベルではなく、世界エレクトロニクス市場のサプライチェーンレベルの方が深刻な状況なのではないだろうか」という疑問が湧く。（2021/6/30）

大阪大学が開発：
塗るだけで水濡れ短絡を防ぐ、木材由来のナノ繊維で
大阪大学は、木材由来のナノ繊維を電子回路にコーティングすることで、水濡れによる故障（短絡）を長時間抑制する技術を発表した。開発したのは、大阪大学産業科学研究所の春日貴章氏、能木雅也教授らの研究グループ。（2021/4/16）

福田昭のストレージ通信（191） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（18）：
1Gビット当たりのコストが1.0米セントに近づく最新3D NANDフラッシュ
今回は、3D NANDフラッシュ各社の製造コスト（記憶容量当たり）を比較する。コストは、ワード線の積層数と記憶容量によって大きく変動する。（2021/4/13）

強相関電子の絶縁性をスピンで制御：
二酸化バナジウム、強磁場で絶縁体から金属に変化
東京大学物性研究所と岡山大学異分野基礎科学研究所は、タングステン（W）を添加した二酸化バナジウム（VO2）が、500テスラの強磁場中で絶縁体から金属に変わることを発見した。（2020/7/22）

VLSIシンポジウム 2020：
FinFETやGAAにも適用可能なエアスペーサー形成技術
オンラインで開催された半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLISシンポジウム 2020」（2020年6月15〜18日／ハワイ時間）で、IBM Researchの研究グループは先端CMOSにエアスペーサーを導入する技術を発表した。（2020/7/3）

湯之上隆のナノフォーカス（26）：
3D NANDの最新動向、覇権争いの鍵となる技術は？ バーチャル開催の「IMW2020」から
半導体メモリの国際学会「インターナショナル・メモリ・ワークショップ（IMW）2020」が5月17日〜20日の4日間、バーチャル方式で開催された。本稿では、チュートリアルの資料を基に、NAND型フラッシュメモリメーカー各社の現状とロードマップを紹介する。（2020/6/3）

冷却能力はペルチェ素子の約10倍：
半導体ヘテロ構造を用いた高効率冷却素子を開発
東京大学らの研究グループは、半導体へテロ構造を用いて、効率が高い冷却素子を開発した。従来のペルチェ素子に比べ約10倍の冷却能力を持つという。（2019/10/4）

磁気抵抗効果が従来の約800倍：
東京大学、新たな電子伝導現象を発見
東京大学は、非磁性半導体と強磁性半導体からなる二層ヘテロ接合を作製し、新たな電子伝導現象を発見した。磁気抵抗効果は従来に比べ約800倍の大きさになることを確認した。（2019/8/30）

増大する車載ストレージに対応：
64層3D NANDを用いた256GBの車載用eMMC、WDが発表
Western Digital（ウエスタンデジタル）は2019年5月30日、車載向けとして、TLC（Triple Level Cell）タイプの64層3D NANDフラッシュメモリを搭載したeMMCの新製品「Western Digital iNAND AT EM132 EFD（以下、iNAND AT EM132）」を発表した。（2019/5/31）

超低消費電流を実現したASSP：
環境発電で“欠けていたピース”埋める、ルネサスのSOTB
ルネサス エレクトロニクスはドイツ・ミュンヘンで開催された「electronica 2018」（2018年11月13〜16日）で、エナジーハーベスト（環境発電）で得たエネルギーで駆動できる組み込みコントローラー「R7F0E」を発表した。核となるのはルネサス独自のプロセス技術「SOTB（Silicon On Thin Buried Oxide）」である。（2018/11/20）

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック：
AMD復活の立役者がラティス新CEOに、問われるその手腕
Lattice Semiconductorの新CEOに、AMDを「Zen」で復活に導いたJim Anderson氏が就任する。技術畑の出身ながら低迷するAMDを立て直した手腕を見込まれての登用となるが、Zenのような“銀の弾丸”は用意できるのだろうか。（2018/9/18）

レジストにも課題が：
EUV、5nm付近でランダム欠陥　imecが報告
EUV（極端紫外線）リソグラフィの5nmプロセスで、ランダム欠陥が発生することを、imecの研究者が報告した。（2018/3/5）

高移動度と低接触抵抗を両立：
大面積の2次元有機単結晶ナノシートを作製
東京大学、産業技術総合研究所（産総研）、物質・材料研究機構（NIMS）らの研究グループは、有機半導体インクを用いた印刷手法で、膜厚が15nm以下の2次元有機単結晶ナノシートを10cm角以上の大きさで作製することに成功した。高移動度と低接触抵抗を両立した有機半導体を実現することができる。（2018/2/6）

いまさら聞けないHILS入門（13）：
HILSによる故障診断機能のテスト（その3）
車載システムの開発に不可欠なものとなっているHILSについて解説する本連載。最終回となる今回は、アクチュエーター故障の中からインジェクターとスロットルアクチュエーターのテストを紹介します。（2017/12/26）

古田雄介のアキバPickUp！：
6年ぶりのATX薄型ケースや7年ぶりのトラックボールが登場
PCパーツは1〜2年ペースで新作が登場するシリーズも多いが、更新が止まっていたり5年以上かかったりするケースもある。先週は後者のパターンが2モデル見つかった。（2017/9/25）

古田雄介のアキバPickUp！：
プレクから新型のM.2＆PCIe型NVMe SSDが登場！
Plextorから新世代のNVMe SSD「M8Se」シリーズが売り出された。また、16GBのOptane同梱のマザーボードや、低価格なUHD BDドライブも登場している。（2017/6/12）

IEDM 2016：
進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。（2016/12/8）

ET2016 レポート：
産業機器向けSSD製品、信頼性や低背で差異化
イノディスク・ジャパンは、「Embedded Technology 2016」「IoT Technology 2016」で、産業機器向けのフラッシュストレージ製品やDRAMモジュールの新製品を展示した。（2016/11/24）

福田昭のデバイス通信（89）：
「SEMICON West 2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（JSR Micro編）
大手レジストベンダーJSR Microの講演では、主に同社とimecの共同開発の内容が発表された。その1つが、JSR MicroのEUV（極端紫外線）レジストをimec所有のEUV露光装置で評価するというもので、化学増幅型のEUVレジストによってハーフピッチ13nmの平行直線パターンを解像できたという。さらに、5nm世代のEUVリソグラフィの目標仕様と現状も紹介された。（2016/9/21）

不揮発メモリの高容量化などが実現可能に：
酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明
東京工業大学の清水荘雄特任助教らによる研究グループは、酸化ハフニウム基強誘電体の基礎特性を解明した。薄膜でも特性が劣化しない強誘電体の開発により、高速動作する不揮発メモリの高容量化や、強誘電体抵抗変化メモリの実用化が可能になるとみられている。（2016/9/13）

福田昭のデバイス通信（87）：
「SEMICON West　2016」、7nm世代以降のリソグラフィ技術（東京エレクトロン編）
今回は、7nm世代以降の半導体製造プロセスで使わざるを得なくなるだろう「自己整合（セルフアライン）的なリソグラフィ技術」に触れる。その候補は3つ。東京エレクトロンのBen Rathsack氏が、3つの候補技術の現状を紹介した。（2016/9/9）

PLEXTOR、NVMe対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを開始
リンクスインターナショナルは、PLEXTOR製となるNVMe接続対応の内蔵型M.2 SSD「M8PeG」シリーズの取り扱いを発表した。（2016/8/26）

粒子ブラスト法により、大気中で表面処理：
多層CNT成長法を開発、3次元物体表面も簡便に
産業技術総合研究所（産総研）の渡辺博道主任研究員らは、マイクロフェーズと共同で、金属や炭素材料からなる3次元物体の表面に、多層カーボンナノチューブ（CNT）を成長させる簡便な方法を開発した。（2016/7/7）

「2016 VLSI Symposia」プレビュー：
10nmプロセス以降に焦点、“微細化のその先”も
2016年6月に米国ハワイで開催される「2016 VLSI Symposia on VLSI Technology and Circuits」では、10nm以降のプロセス技術の研究成果も多数発表される予定だが、“微細化のその先”についても、これまで以上に活発な議論が行われるようだ。（2016/3/30）

OCZ、15nm TLC NAND採用のスタンダードSSD「Trion 150」を発表
OCZストレージソリューションは、メインストリーム向けとなる2.5インチSATA SSD「OCZ Trion 150」シリーズを発表した。（2016/2/5）

64層3D NANDで売価下落に対抗へ：
東芝、赤字転落の半導体事業は自主再建
東芝の電子デバイス部門の2015年度（2016年3月期）業績は、550億円の営業赤字を計上する見込みとなった。前年度に比べ2716億円減という大幅減益だ。NAND型フラッシュメモリ（NANDメモリ）事業を除き、ディスクリート、システムLSI、ストレージの3事業で赤字となり、事業構造の見直しを実施する。さらに2015年後半からの売価下落で利益幅が縮小しているNANDメモリも、高集積品の開発を急ぎ価格競争力を高めるなどし、電子デバイス事業として2016年度の黒字転換を目指す。（2016/2/5）

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（12）：
可視光と赤外光の画像を同時に撮影
カンファレンス3日目に行われるセッション30では、オリンパスが、可視光と赤外光を同時に別々の画像として撮像するマルチバンド・イメージセンサーについて講演する。セッション31では、シリコン基板上にIII-V族化合物デバイスを作成する、次世代の電子デバイスや光デバイスについての発表が相次いで行われる。（2015/12/2）

福田昭のデバイス通信 IEDM 2015プレビュー（11）：
生体に埋め込む脳血流量測定システム
今回はセッション27〜29を紹介する。セッション29では、生体組織分析デバイスや生体モニタリングデバイスに関する講演が行われる。Columbia Universityらの研究グループは、有機材料の発光ダイオードおよび光検出器を組み合わせた、脳血流量モニタリングシステムを発表する。同システムの厚みは、わずか5μmしかない。（2015/11/30）

フラッシュストレージの価格破壊に挑戦！：
サンディスクが単価1ドル/GB以下の「InfiniFlash」
サンディスク（SanDisk）は、エンタープライズ向けオールフラッシュストレージプラットフォーム「InfiniFlash」について、日本市場でも2015年11月中旬より供給を始める。3Uサイズの筐体で最大容量512TB（テラバイト）を可能にするとともに、ギガバイト単価を1米ドル以下にするなど低コストを実現した。（2015/10/27）

SEMICON West 2015リポート(12)：
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（5）〜インプリント装置の開発ロードマップ
今回は、ナノインプリント・リソグラフィ技術の開発ロードマップを紹介しよう。キヤノンは現在、インプリント装置の第1世代機の開発を終えたところで、今後5年間で第2および第3世代機の開発に取り組んでいく予定だ。インプリント装置のターゲットは、NAND型フラッシュメモリとDRAM、ロジックICである。（2015/9/18）

SEMICON West 2015リポート(9)：
ナノインプリント開発の進展状況をキヤノンが講演（2）〜解像度と位置合わせ、生産性
今回は、ナノインプリント・リソグラフィを構成する要素技術の開発状況をお伝えする。ここ1年でとりわけ大きく進歩しているのが、重ね合わせ誤差と生産性（スループット）だ。重ね合わせ誤差は半分〜3分の1に低減し、スループットは2倍〜3倍に向上しているという。（2015/9/8）

SEMICON West 2015リポート(5)：
ASMLがEUVリソグラフィ開発の最新状況を公表（2）〜開発の進ちょく状況
本稿では、EUVリソグラフィ開発の進ちょくをお伝えする。ASMLの開発用露光装置「NXE:3300B」は、1日当たりのウエハー処理枚数が1000枚を超え、以前に比べるとかなり進化した。また、7nm世代のロジック配線を解像できるようになっている。（2015/8/26）

スマホの駆動時間も飛躍的に延びる!?：
超低消費デバイスが作製できる強誘電体薄膜
東京工業大学の清水荘雄特任助教らの研究グループは、強誘電体の極薄単結晶膜の作製に成功した。極薄膜でも安定した特性の強誘電体膜が得られ、超高密度メモリやスマートフォンなどで消費電力を極めて小さくすることができる新型トランジスタの製造が可能だという。（2015/7/31）

メモリ各社の製品から探る：
プレーナ型NANDフラッシュの微細化の限界
最近になって、1Xnm世代のプロセスを適用したプレーナ（平面）型のNAND型フラッシュメモリが市場に投入され始めた。だが、プレーナ型NANDフラッシュの微細化は限界だといわれている。各社の1Xnm世代NANDフラッシュを見ながら、微細化技術について考察してみたい。（2015/6/23）

VLSIシンポジウム 2015 プレビュー（2）：
デバイス技術の注目論文 〜7nm以降を狙う高移動度トランジスタ
今回は、メモリ分野、先端CMOS分野、非シリコン分野における採択論文の概要を紹介する。抵抗変化メモリ（ReRAM）や3次元縦型構造の相変化メモリ（PCM）に関する論文の他、GaNやSiGe、InGaAsなど、次世代の高移動度の化合物半導体を用いたトランジスタに関する技術論文の概要が紹介された。（2015/4/28）

東芝 THGBMHG7C2LBAIL/THGBMHG8C4LBAIRなど：
eMMC 5.1準拠の組み込みNANDメモリ――15nmプロセス採用で最大128GB容量
東芝は、eMMC Version 5.1に準拠した組み込み式NAND型フラッシュメモリを発表した。オプショナル機能として規定されたコマンドキューイング機能とセキュアライトプロテクション機能に対応している。（2015/4/2）

JEDEC eMMC Version 5.1準拠：
東芝、「コマンドキューイング」と「セキュアライトプロテクション」に対応したeMMC
東芝は、JEDEC eMMC Version 5.1規格に準拠したeMMC新モデルのサンプル出荷を開始。同規格のオプションとして規定されている「コマンドキューイング機能」と「セキュアライトプロテクション機能」に対応した。（2015/3/24）