「SiC」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

SiCパワーデバイスで効率／電力密度を向上：
AIデータセンターの800VDC化へ InfineonとEatonが協業
Infineon Technologiesは、Eatonの中電圧ソリッドステートトランスフォーマー（MVSST）2.0プラットフォーム向けに、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスを供給する。今回の協業は800VDC AIデータセンター電力配分アーキテクチャを対象としている。（2026/10/9）

「プレーナー」に回帰した理由は？：
ローム、第5世代SiCの狙いと車載モジュール改良の舞台裏
電気自動車（EV）市場の停滞で一時逆風を受けた炭化ケイ素（SiC）市場だが、ロームは次の成長を見据えて開発の手を緩めていない。（2026/10/9）

鉄道技術：
東京メトロ東西線の新車両は20〜30％省エネ、世界初の主回路システムで実現
東京地下鉄（東京メトロ）と三菱電機は、鉄道用「同期リラクタンスモータシステム：SynTRACS」と「超小型VVVFインバータ装置」を組み合わせた新たな主回路システムを、東京メトロの東西線05系車両に導入すると発表した。これらの組み合わせを鉄道の主回路システムに導入するのは世界初となる。（2026/10/8）

材料技術：
直径300mmの大口径SiC単結晶基板の開発に成功
レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）で直径300mm（12インチ）のSiC単結晶の成長と基板加工に成功した。同社によると、開発が進むSiC基板としては、世界最大級の口径になるという。（2026/10/8）

全部ロームで完結：
「800V時代」のAIサーバ電源狙うローム　EV減速を補う成長市場に
AIサーバの急速な需要拡大を、パワー半導体の新たな成長機会として取り込む――。ロームが、AIサーバ向け電源市場への取り組みを加速している。（2026/10/7）

PCIM Europe 2026：
「NVIDIAのチップ以外、全てそろう」ロボット市場攻めるST
STMicroelectronics（以下、ST）が、ヒューマノイドをはじめとするロボティクス市場への取り組みを強化している。「PCIM Europe 2026」（2026年6月9〜11日、ドイツ・ニュルンベルク）でもロボティクス市場向けの展示が目立った。（2026/10/6）

150／200mm品の品質向上に活用：
レゾナックが300mm SiC基板を初公開　サンプル提供も
レゾナックは、炭化ケイ素（SiC）に関する国際会議「ICSCRM 2026」で、300mm SiC単結晶基板を初公開した。現時点で300mm SiCエピウエハーを開発／販売する計画はないものの、顧客から要望があれば単結晶基板のサンプル提供には対応する。300mm品の開発で得た知見を、150／200mm品の品質向上にも生かす考えだ。【修正あり】（2026/10/6）

エッジAIのOCR技術など使用：
製造工程でウエハーを「100％識別する」システム、Cognex
Cognexは2026年9月、半導体製造向けの新型ウエハー／パネル識別システム「In-Sight 1750」シリーズを発表した。特殊なマルチ照明モードやエッジAI活用の読み取りエンジン、200万画素イメージセンサーなどで高い読み取りレートを実現する。（2026/10/5）

プラットフォーム「EPP」を発表：
ウエハーそのものが「パッケージ」に　onsemiのパワー半導体向け新技術
onsemiがパワー半導体向けの新アーキテクチャ「Embedeed Power Platform（EPP）」を発表した。12インチシリコンウエハーそのものをパッケージとして活用する技術で、電気／熱／機械特性の協調最適化を行えるため、設計期間を大幅に短縮できる可能性がある。（2026/10/2）

MONOist新着記事PickUp：
パナソニック最大の物流拠点／3時間超え会見でニデック新社長は何を語った？
2026年10月2日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/10/2）

組み込み開発ニュース：
AC-BTIの評価試験時間を最大75％短縮　OKIエンジが半導体試験サービスを強化
OKIエンジニアリングは、SiC（シリコンカーバイド）パワー半導体の固有劣化モードを評価する「AC-BTI（Alternating Current - Bias Temperature Instability）試験サービス」を2026年11月2日から強化すると発表した。同サービスで2027年度末までに累計売上高1億円を目指す。（2026/10/2）

ゲートしきい値電圧変動を半減：
トレンチゲート型SiC MOSFETの効率／信頼性を両立する新技術
東芝デバイス＆ストレージ（以下、東芝D＆S）は、トレンチゲート型炭化ケイ素（SiC）MOSFETにおいて、長期間使用によるゲートしきい値電圧の変動を抑える技術を開発したと発表した。市販のトレンチゲート型SiC MOSFETと比べてゲートしきい値電圧変動を約50％低減し、高効率化と長期信頼性の両立に寄与するとしている。（2026/10/1）

歩留まり向上に貢献：
「水だけで」SiCウエハー端面研磨 ダイヤ砥粒入りパッド
ノリタケは、SiCウエハーなどの研磨工程向けに、ダイヤモンド砥粒を内包した研磨パッド「LumiDia」を開発した。ダイヤモンドスラリーを使わず、水だけでSiCウエハーの端面を研磨できる。ウエハーの欠けや割れ、異物付着を抑え、歩留まり向上や産業廃棄物の低減につなげる。（2026/9/30）

組み込み開発ニュース：
スバルが採用、電力密度を3〜5倍に高めるウエハーレベルアーキテクチャ
onsemi（オンセミ）はシリコンウエハーをパッケージ基盤として活用し、システム設計を統合するアーキテクチャ「Embedded Power Platform」を発表した。電力密度向上や開発期間短縮に貢献する。（2026/9/30）

中心部でしきい値電圧のばらつき0.07V以下：
SiC IC実用化へ前進！ 6インチ全面でJFET作製、京大
京都大学とフェニテックセミコンダクターらは、6インチ炭化ケイ素（SiC）ウエハー全面にn型／p型の接合型電界効果トランジスタ（JFET）を一括作製し、正常動作を確認した。ウエハー中心部では、しきい値電圧のばらつきを標準偏差0.07V以下に抑えた。高温環境向けSiC集積回路（IC）の実用化に向けた成果だという。（2026/9/30）

米国での製造プロセス確立目指す：
Navitasが1万V級SiC IGBT開発へ　米陸軍が選定
Navitas Semiconductorが、10kV（1万V）級の次世代炭化ケイ素（SiC）IGBTを開発する米陸軍の「ALATTIS」プログラムに選定された。同社は独自の「Trench-Assisted Planar（TAP）」構造を活用し、SiC MOSFETから超高耐圧のSiC IGBTへと技術領域を広げる。（2026/9/29）

最大2MHzで試験、時間を75％短縮：
SiC特有の「データシートに載らない劣化」を測定、OKI
OKIエンジニアリングは、SiC MOSFET特有の劣化モード「AC-BTI」を評価する試験サービスを強化する。カスタムメイドの新たな試験装置を導入し、評価可能なデバイスや試験条件を拡大したほか、試験時間を従来比最大75％短縮。欧州の車載向け信頼性試験規格「AQG 324」2025年版にも対応する。（2026/9/29）

電動化：
ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代EV向け電動パワートレインに採用
ロームのSiCパワーデバイスがBMWの次世代EV向け電動パワートレインに採用された。高効率化や高性能化に貢献する。（2026/9/29）

FAニュース：
SiCウエハーを水のみで加工、ノリタケがスラリー要らずの研磨パッド開発
ノリタケは、SiCウエハーなどの研磨工程で使用するダイヤモンド砥粒内包型研磨パッド「LumiDia」を開発した。独自構造で効率よく作用し、水のみで高い研磨性能を発揮する。（2026/9/29）

第3世代SiC MOSFET搭載：
高サージ電流耐量の3300V SiC MOSFETモジュール
東芝デバイス＆ストレージは、同社の第3世代炭化ケイ素（SiC）MOSFETチップを搭載した3300V／800AのデュアルSiC MOSFETモジュール「IX800FXF2YMS4」を発表した。SiCチップ設計の最適化により、I2t特性として300kA2sを実現している。（2026/9/29）

金属溶湯脱成分法を用い：
ナノポーラスβ-SiCを低い温度で作製、東北大
東北大学金属材料研究所の研究グループは、金属溶湯脱成分法（LMD）を用い、800℃（1073K）という比較的低い温度で、「ナノポーラスβ-炭化ケイ素（SiC）」の作製に成功した。（2026/9/29）

MONOist新着記事PickUp：
世界から見た日本製造業の人件費／ファナックがAI溶接エージェントのデモを披露
2026年9月28日に公開されたMONOistの新着記事をピックアップしてお届けします。（2026/9/28）

モノづくり総合版メルマガ 編集後記：
日本は「課題先進国」だけど「導入後進国」なのか
（2026/9/25）

サンプル出荷を開始：
住友金属鉱山、「世界初」300mm貼り合わせSiC基板開発
住友金属鉱山が、300mmの貼り合わせ炭化ケイ素（SiC）基板の開発に成功し、半導体メーカーへのサンプル出荷を行った。同社によれば、貼り合わせSiC基板として300mmを実現したのは世界初という。（2026/9/25）

名大の山本教授が主導：
日本の技術力を結集！ Teslaより70％軽いインバーター
2026年9月9〜11日にかけて開催された「第5回 ネプコンジャパン 秋」（幕張メッセ）で、名古屋大学の山本真義教授が主導する産学連携プロジェクト「フェザーインバーター」の実機が世界初公開された。日本企業の技術力を結集し、Tesla「Cybertruck」用インバーターと同等の性能を有しつつ、70％の小型軽量化を実現している。（2026/9/25）

材料技術：
住友金属鉱山が12インチSiC基板を開発、サンプル出荷へ
住友金属鉱山は、12インチ（300mm）の貼り合わせSiC基板「SiCkrest」の開発に成功し、サンプル出荷を開始した。（2026/9/28）

5分で分かる！ 今週のエレクトロニクス業界：
SiCの開発と実装が進む 300mm化から次世代EV採用まで
2026年9月14〜18日のエレクトロニクス業界の主な動きを、EE Times Japanの記事とともに振り返ります。（2026/9/19）

第6世代「Neue Klasse」に：
ロームのSiCパワー半導体、BMWがEVに採用
ロームは2026年9月17日、BMWの次世代電気自動車（EV）コンセプト「Neue Klasse（ノイエ・クラッセ）」の電動パワートレインにおいて、ロームの炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が採用されたと発表した。ロームは、車載インバーター向けを中心に、SiCパワー半導体の展開を強化している。（2026/9/17）

競争活発化、中国勢ら存在感：
レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発
レゾナックは2026年9月15日、直径300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶の成長と基板加工に成功したと発表した。SiC基板では6インチから8インチへの移行が本格化する中、既に中国や米国のメーカーらがその先の300mm品について、相次いで開発成果を示していた。（2026/9/16）

いまさら聞けない 半導体後工程（2）：
「ダイシング」を知らずに後工程は語れない〜ウエハーがチップへ変わる出発点〜
本連載では、半導体の高性能化において重要性が増す後工程を中心に解説する。前回は、半導体製造工程全体のイメージをつかむため、「前工程」を紹介した。今回は、後工程の入り口となる「ダイシング」について紹介する。（2026/9/16）

材料技術：
パワー半導体の熱問題に解、高熱伝導と低熱膨張を両立させた複合放熱素材
アドバンスコンポジットは、熱伝導率580W/m・Kという高い放熱性能と、低い熱膨張率を両立したグラファイトアルミ複合素材「ACM-H6」を開発した。（2026/9/15）

工作機械：
中村留が「半導体・光学事業部」発足、ウエハーのエッジ加工装置など展開
中村留精密工業は、新事業部「半導体・光学事業部」を発足した。半導体材料加工技術と光学分野の精密加工技術を融合させることで、次世代半導体産業の発展に貢献する。（2026/9/14）

ソーラーエッジと協業拡大：
インフィニオン、800VDC AIデータセンター用SSCB開発強化
インフィニオン テクノロジーズは、SolarEdge Technologies（以下、ソーラーエッジ）との協業を拡大する。AIデータセンターやハイパースケールデータセンターに向けた高電圧DC配電用ソリッドステートサーキットブレーカー（SSCB）の技術開発を加速させる。（2026/9/14）

低リーク電流と高速スイッチング実現：
3300V対応SiC MOSFETリレー、Aratas America
Aratas Americaの「G3VH」は、1800Vまたは3300Vの高電圧スイッチングに対応する炭化ケイ素（SiC）MOSFETリレーだ。低リーク電流と高速スイッチングを実現し、半導体テスト装置などに適する。（2026/9/10）

PiNダイオードの通電特性を再現：
SiC-IGBT向け高精度シミュレーション技術を開発
電力中央研究所は、炭化ケイ素（SiC）パワーデバイスの特性を予測できるシミュレーション技術を開発した。この技術を活用すれば、耐電圧10kV超級SiC-IGBTの特性予測精度を向上でき、開発期間短縮にもつながる。（2026/9/9）

電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記：
GaN市場でInfineonが5位から2位に急浮上　AIが変える勢力図
5位から2位へ――。GaNパワーデバイス市場でInfineon Technologiesが急速にシェアを伸ばしています。（2026/9/7）

極限環境向け集積回路の実現へ：
600℃で動作する新構造のSiC素子、京都大
京都大学は、炭化ケイ素（SiC）を用いて新構造のトランジスタ素子を開発し、600℃という高温環境での動作を実証した。ジェットエンジン内部や地熱井の底など、極限の高温環境でも動作するセンサーや制御回路に適応できるとみている。（2026/9/3）

電動化：
新型「レクサスNX」がハイブリッドシステムを刷新、PHEVのEV走行距離は140kmに
トヨタ自動車がレクサスブランドの小型SUV「NX」の新モデルを公開。ハイブリッドシステムの刷新やボディー剛性の大幅な向上、シャシーと車両制御のチューニングなど大幅な改良を施したビッグマイナーチェンジの位置付けとなる。（2026/9/2）

組み込み開発ニュース：
データ転送速度20Mbpsに対応するCAN XLトランシーバーを発売
Texas Instruments（TI）は、データ転送速度最大20Mbpsおよびフレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応するCAN XLトランシーバー「TCAN6062」の販売を開始した。（2026/8/31）

1週間を凝縮！ 今週の製造業ニュース：
キオクシア5兆円投資、日米中韓の半導体投資競争はどこへゆく
2026年8月24日〜28日に公開された記事の中から、MONOist編集部が厳選した今週のニュースをお届けします。（2026/8/29）

インド拠点の強化も狙う：
Infineon、AI向け電源IC企業C2iを買収　垂直給電を強化
Infineon Technologiesは、AIデータセンター向けのデジタル電力管理技術を手掛けるインドC2i Semiconductorsを買収する。C2iが持つマルチフェーズコントローラーやスマートパワーステージ、垂直給電に関する技術を取り込み、AIサーバ向けの電力供給ソリューションを強化する。（2026/8/28）

10kVや20kV SiC IGBTも計画：
6.5kV SiC MOSFETを開発、NoMIS Power
NoMIS Powerは、8kV超のブロック電圧と90mΩのオン抵抗、55Aのドレイン電流を実現した6.5kV 炭化ケイ素（SiC）MOSFETを開発した。（2026/8/31）

組み込み開発ニュース：
中国パワー半導体市場規模は2035年に3兆2742億円へ、SiCとGaNは5倍増に
富士経済は、中国のパワー半導体市場に関する調査結果を発表した。2035年の同市場規模について、自動車や民生機器、エネルギー分野での需要拡大が成長をけん引し、2025年比1.9倍の3兆2742億円に拡大すると予測する。（2026/8/25）

CAN FD／CAN SICと下位互換：
「業界初」商用CAN XLトランシーバー　ヒューマノイドなど想定
Texas Instruments（TI）は、CAN XL（Controller Area Network extended data-field length）対応トランシーバー「TCAN6062」を発売した。データレートは最大20Mビット/秒で、1フレーム当たり最大2048バイトのペイロードに対応する。商用CAN XLトランシーバーは「業界で初めて」（TI）だという。（2026/8/25）

ニューフレアテクノロジー 代表取締役社長 齊藤匡人氏／常務取締役 大歳研司氏：
PR：「真のニーズ」を捉えて次世代品の開発加速――顧客価値を磨くニューフレアテクノロジー
フォトマスクに回路パターンを生成するマスク描画装置などを手掛けるニューフレアテクノロジー。2026年4月1日には、新社長に齊藤匡人氏が就任した。先端プロセス向けのマスク描画装置ではAI需要の追い風を生かしてシェア維持／拡大を目指す一方、マスク検査装置やエピタキシャル成長装置では新たな市場開拓を強化する。齊藤氏と常務取締役 大歳研司氏に、事業戦略の詳細を聞いた。（2026/8/24）

自作治具や評価用基板の課題を解消：
PR：パワーデバイス開発に「専用テストソケット」という選択肢！　過酷な条件でも安定した評価を実現
パワーデバイスの開発現場における特性評価では、評価用基板への実装や自作治具が多く用いられていて、コストや手間、測定の安定性、安全性などが課題となっている。SDKは、AC 4kV／DC 5.5kV、−20〜＋200℃に対応する開発現場専用のテストソケット「パワーデバイス用高電圧ソケット」を開発した。過酷な条件下でも安定した評価を可能にし、デバイス本来の性能を正確に把握するための新たな選択肢を提案する。（2026/9/1）

反りを抑え、低温かつ無加圧で接合：
小型で高出力密度、3D SiCパワーモジュール
住友ベークライトは、東北大学との共同研究により小型で高出力密度を実現した「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。樹脂絶縁2層構造にしたことで、パワーモジュールのサイズを従来品の約半分に抑えた。しかも、300kVA/Lというインバーター出力密度に対応する。（2026/8/21）

アナログ半導体も重要に：
ロームが見る「1ラック1MW時代」のAIサーバ　Si／SiC／GaNは共存へ
AIサーバの高性能化に伴い、消費電力が急増している。ロームは、次世代AIサーバでは電源の高電圧化が進み、シリコン（Si）／炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）など異なるパワーデバイスが1つのシステム内で使われる「共存」の時代になるとみる。（2026/8/20）

材料技術：
EV向けパワーユニットの体積を半減、住友ベークライトが次世代モジュール開発
住友ベークライトは東北大学と共同で、EV向けパワーユニットの体積を約半分にする「3D SiC-MOSFETパワーモジュール」を開発した。この強みは、パワーエレクトロニクス分野における競争優位性を高める重要な要素であり、将来的な成長と収益性の向上に寄与すると確信しているという。（2026/8/20）

生成AI利用を支えるベンダー：
GPUから光接続まで、AI基盤の「本命5社」　Gartnerが選んだ理由
生成AIの本番利用が広がる中、その処理を支えるAIインフラ分野の競争も激しさを増している。Gartnerは、AI半導体ベンダーの現在の競争における「Companies to Beat」（分野をリードする本命企業）を特定した。（2026/8/18）