低オン抵抗の1200V SiCパワーモジュール、SemiQ：7.4mΩ、14.5mΩ、34mΩ

SemiQは、1200V世代のSiC MOSFETファミリーを拡充し、低オン抵抗を実現したSOT-227モジュールを投入した。

» 2025年12月25日 12時30分公開

[EDN]

　SemiQは、オン抵抗が7.4mΩ、14.5mΩ、34mΩのSOT-227モジュールを追加し、1200V 第3世代SiC MOSFETファミリーを拡充したと発表した。ショットキーバリアダイオード（SBD）を同一パッケージに搭載するGCMSモデルや、内蔵ボディーダイオードを使用するGCMXタイプをそろえる。

　[クリックで拡大] 出所：SemiQ

　これらのモジュールは、バッテリーチャージャー、太陽光発電用インバーター、サーバー用電源、エネルギー貯蔵ユニットなどの中電圧／高電力システム向けに設計されている。各デバイスは、1400Vを超える条件でのウエハーレベルのゲート酸化膜バーンイン試験と、最大800mJ（34mΩタイプは330mJ）までのアバランシェ試験を受けている。

　7.4mΩの「GCMX007C120S1-E1」は、スイッチング損失を4.66mJ（ターンオン3.72mJ、ターンオフ0.94mJ）に低減、ボディーダイオードの逆回復電荷は593nCでだ。接合部－ケース間の熱抵抗は、7.4mΩ品で0.23℃／W、34mΩモジュールで0.70℃／Wだ。

　全てのモデルで、ヒートシンクへ直接取り付け可能な堅ろうな絶縁バックプレートを備えている。サンプルおよび量産価格は要問い合わせ。

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