独自トレンチ構造で電力損失半減 三菱電機のSiC-MOSFETチップ：4種類をラインアップ

三菱電機は、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗とスイッチング損失を抑え、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減する。

[EDN Japan]

　三菱電機は2026年1月、パワーエレクトロニクス機器向けに、「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」のサンプル提供を開始した。オン抵抗20mΩの「WF0020P0750AA」、同40mΩの「WF0040P0750AA」、同60mΩの「WF0060P0750AA」、同80mΩ「WF0080P0750AA」の4種を用意。サンプル価格は個別見積もりだ。

左から、トレンチ型SiC-MOSFETを製造したウエハーと新製品のチップ（イメージ） 出所：三菱電機

オン抵抗、スイッチング損失を低減

　新製品は、ウエハーの表面に溝（トレンチ）を形成してゲート電極を埋め込んだ独自のトレンチ構造を採用した。ウエハー表面にゲート電極を設けるプレーナー型炭化ケイ素（SiC）MOSFETに比べ、オン抵抗を削減できる。斜め方向からイオンを注入することで、従来の垂直方向からの注入方式よりもスイッチング損失を抑制できる。これらの機能により、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して、電力損失を約50％低減。パワーエレクトロニクス機器の低消費電力化に寄与する。

　定格電圧はいずれも750Vで、表面電極仕様ははんだ接合、裏面電極仕様ははんだ接合と銀（Ag）焼結接合に対応。主な用途として、電気自動車（EV）のトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムを見込む。