サーバなどで高い効率と電力密度を実現する600V SJ-MOSFET Vishay、1200V対応SiCパワーモジュール5製品 突入電流耐量を強化した650V対応SiC SBD、トレックス 高電流密度と低熱抵抗を備えた1200Vパワーモジュール、SemiQ 導通損失低減に寄与 ビシェイの100V整流モジュール 高圧電源管理向け マイクロチップの600Vゲートドライバー 台湾セミコンが1200V車載グレードダイオード投入 システム小型化に寄与 リテルヒューズの480A対応MOSFET 1200V/700Aの車載向けSiC新パワーモジュール、Wolfspeed 低オン抵抗の1200V SiCパワーモジュール、SemiQ 長寿命の1200V SiC MOSFETパワーモジュール、ビシェイ Navitasが2.3kV/3.3kV SiC MOSFETを投入 GaN搭載の65Wフライバックコンバーター、STマイクロ 大型産業機器向け 耐電圧4.5kVのHVIGBTモジュール、三菱電機 負ゲートバイアス内蔵ローサイドゲートドライバー、リテルヒューズ 高電力密度対応の1400V耐圧SiC MOSFET、インフィニオン 動作音を抑えるGaNフライバックコンバーター、STマイクロ 次世代パッケージ採用のSiCパワーモジュール、インフィニオン 熱設計の自由度向上 サンケン電気の車載3相モーター用ドライバー 150V定格の車載用MOSFETにTOLxパッケージ品、インフィニオン DFNパッケージ採用の3kA TVSダイオード、リテルヒューズ 放熱性39%向上 ロームのTOLLパッケージSiC MOSFET 底面積53%縮小 ー40℃で連続動作するパワー半導体モジュール、三菱電機 熱抵抗15%低減 新パッケージ採用NチャネルパワーMOSFET、東芝D&S 実装面積25%減 阻止電圧1500V対応の車載用フォトリレー、東芝D&S 800V車載バッテリー対応の阻止電圧1800Vフォトリレー、東芝 【問題】GaNパワートランジスタの特長は? AIサーバ向け 1200V/20AのSiCショットキーダイオード、Nexperia SiCパワーデバイスはもう難しくない 「使いやすさ」を追及するSTの最新テクノロジー インフィニオンが650VのGaN双方向スイッチ、複数の変換ステージが不要に