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ルネサス、両面冷却パッケージの650V GaN発表：AIデータセンター向け

ルネサスエレクトロニクスは、耐圧650Vの窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスのサンプル提供を開始した。メガワット級のAIデータセンター向けに、両面冷却パッケージを採用した製品。低いオン抵抗と高い電力密度を実現した。

» 2026年09月30日 14時30分公開

　ルネサスエレクトロニクス（以下、ルネサス）は2026年9月30日、メガワット級のAIデータセンター向けに、耐圧650Vの窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスのサンプル提供を開始したと発表した。新製品「TP65H020G4PLSGBD」はD-mode（ノーマリーオン） GaNデバイスで、外形寸法が8×8mmの両面冷却のPQFNパッケージを採用。放熱対策が重要になるAIデータセンター向けとして、高い電力密度と放熱性を実現したことが特徴になっている。量産開始は2027年半ばを予定している。

両面冷却パッケージを採用した耐圧650Vの「TP65H020G4PLSGBD」

　TP65H020G4PLSGBDは、ルネサスの第4世代プラス（Gen IV Plus）アーキテクチャをベースにした製品で、最大700Vの動作に対応。20mΩと低いオン抵抗を実現した。800Vから48V／12V／6Vへと降圧する中間バスコンバーターステージや、サイドカー電源ラックのバッテリーバックアップ（BBU）およびコンデンサーバンク（CBU）ステージを、主な用途とする。

　新製品ではパッケージの上下両面から放熱することで、上面の熱インピーダンスを10％低減するという。従来品の10×15mmのTOLTパッケージに比べ、実装面積は57％縮小する。

　ルネサスは、今回発表した650V GaNデバイスを、同社の補助電源用コントローラーやゲートドライバー、マイコンと組み合わせることで、NVIDIAなどが提唱している800V直流（DC）アーキテクチャに対応する電源用の半導体デバイスを「ルネサス1社」でそろえられるとする。

　TP65H020G4PLSGBDを搭載した6kW対応800V入力／48V出力のLLC直流トランスリファレンスデザインを作成したところ、2.6kW/in³の電力密度を達成したという。

　なおルネサスは、2026年10月に米国カリフォルニア州サンノゼで開催される「OCP Global Summit」において、今回の新製品を展示する予定だ。

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