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SemiQが750V／1200Vの第4世代SiC MOSFET発表：オン抵抗21％削減

SemiQは、750Vおよび1200Vの第4世代SiC MOSFETを発表した。第3世代品に比べてオン抵抗を21％、スイッチングエネルギーを11％削減。EV充電器や太陽光発電用インバーターなどの用途を想定する。

» 2026年11月09日 17時20分公開

[EDN]

従来世代比でセルピッチを36％縮小

　SemiQは、750Vおよび1200Vの第4世代SiC MOSFETを発表した。同社によると、第3世代品に比べてオン抵抗を21％、スイッチングエネルギーを11％削減したという。750V品の「GP4T009A075」と1200V品の「GP4T011A120」のオン抵抗は、それぞれ9mΩ、11mΩだ。TO-247-4Lパッケージ品とベアダイ品を用意していて、電気自動車（EV）用充電器、太陽光発電用インバーター、産業用ドライブ、高電圧DC-DCコンバーターおよびDC-ACコンバーターへの使用を想定する。

[クリックで拡大] 出所：SemiQ

　第4世代技術では、セル構造を最適化し、従来世代に比べてセルピッチを36％縮小した。1200VのSiC MOSFETは、導通性能とスイッチング性能を向上させ、第3世代の1200V品と同じ5×5mmのダイサイズを維持しながら、総スイッチングエネルギーを1491μJに削減した。従来世代にはなかった750VのSiC MOSFETは、総スイッチングエネルギーを871μJに抑えているという。

　750Vおよび1200Vの第4世代MOSFETのダイには、それぞれ800V、1400Vを超える電圧で、ウエハーレベルのゲート酸化膜バーンインスクリーニングを実施している。また、両製品とも800mJのアバランシェ試験を実施している。

　4品種全てが既に入手可能だ。型番末尾の「H」はTO-247-4Lパッケージ品、「X」はベアダイ品を示している。

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