アバゴ・テクノロジーの「MGA-43128」は、同社独自の0.25μm p型HEMTプロセスを採用することで、高利得と高線形性を実現した。利得は33.4dB、変調精度(EVM)が2.5%のときの線形出力は29.1dBmである。
アバゴ・テクノロジーは2012年1月、LTE(Long Term Evolution)方式の携帯電話基地局向けに高利得/高線形性を備えたパワーアンプ(PA)「MGA-43128」を発表した。対応周波数帯域は700M〜800MHz。LTE基地局のドライバアンプとして使える他、LTEアクセスポイントやCPE(宅内装置)、ピコセル機器などに向ける。既にサンプル出荷および量産を開始している。
MGA-43128は、GaAs(ガリウムひ素)材料を使った同社独自の0.25μm p型HEMT(高電子移動度トランジスタ)プロセスを採用することで、高利得と高線形性を実現した。利得は33.4dB、変調精度(EVM)が2.5%のときの線形出力は29.1dBm、線形出力時の電力付加効率(PAE)は22%である(750MHzのとき)。
同社は、線形出力が29dBm程度と高いことを特徴としたPA製品として、2300M〜2500MHz帯に対応した「MGA-43228」と、2500M〜2700MHz帯に対応した「MGA-43328」を用意していた。今回、700M〜800MHz帯のPAを追加したことで、より幅広い周波数帯域をカバーできるようになった。
その他の仕様は以下の通り。高周波(RF)入力は50Ωに整合されている。出力部には外部整合回路が簡素化できるように、幾つかの高周波部品を集積した。減衰度が最大18.0dBのバイパススイッチ制御アッテネータや、温度補償電力検波器も搭載している。パッケージは外形寸法が5.0×5.0×0.85mmの28端子QFN。動作温度範囲は−40〜85℃で、電源電圧は5Vである。
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