AEC-Q101に準拠、650V SiCショットキーダイオード：ビシェイ 17種類を発表

ビシェイ・インターテクノロジーは、同社第3世代品となる、650VのSiCショットキーダイオード17種を発表した。埋め込み型のMPS構造を新たに採用し、前世代品比で順方向電圧降下が0.3V低減したほか、性能指数も17％低減している。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2023年5月、同社第3世代品となる、650VのSiCショットキーダイオード17種を発表した。既にサンプル品と製品の提供を開始していて、量産時の標準納期は8週間となっている。

650V SiCショットキーダイオード 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

　新たな製品群は、埋め込み型のMPS（Merged PIN Schottky）構造を採用。同社前世代品と比較して順方向電圧降下が0.3V低減したほか、順方向電圧降下と容量電荷の積で求められる性能指数（FOM）も17％低減している。

　標準逆リーク電流も低く抑え、最も近い競合品と比較して室温下で30％、高温下で70％低減した。また、リカバリーテールがなく、効率性にも優れる。

AEC-Q101に準拠

　2000時間の高温逆バイアス試験、2000回の温度サイクル試験に適合。これは、車載電子部品規格「AEC-Q101」で要求されるテスト時間およびサイクルの2倍に達している。

　定格電流は4〜40A。パッケージは、TO-22OAC 2LまたはTO-247AD 3Lのスルーホール、D²PAK 2L（TO-263AB 2L）の表面実装パッケージが選択可能だ。発電機や資源探索機などでのFBPSコンバーター、LLCコンバーターに用いられるAC-DC PFC、DC-DC高周波出力整流といった用途に適する。