2種の30V対称型デュアルMOSFET、ビシェイ：SiZF5300DT、SiZF5302DT

ビシェイ・インターテクノロジーは、30Vの対称型デュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」を発表した。3.3×3.3mmのパッケージを採用していて、同社従来品と比較して基板面積を63％削減できる。

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2023年1月、30Vの対称型デュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」を発表した。既にサンプル品および製品の提供を開始している。

30VデュアルMOSFET「SiZF5300DT」「SiZF5302DT」 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

　新製品のいずれかを用いて、同社のMOSFET「PowerPAK 1212」を単体で2つ使用するソリューションの代替にした場合、基板面積を50％削減できる。また、両製品はパッケージに3.3×3.3mmの「PowerPAIR 3x3FS」を採用していて、同社の「PowerPAIR 6x5F」をパッケージに用いたデュアルMOSFETと比較して、基板面積を63％削減できる。同期バックコンバーターやPOL変換、サーバ、DC冷却ファン、テレコム装置用途の製品において、省スペース化が図れる。

前世代品より35％低いFOMを提供

　ともに同社で第5世代に当たる技術（Gen V）を採用した。100Wで98％の効率性を達成していて、高周波スイッチング用途に適する。全数に対しては、RgおよびUIS試験を実施している。また、ハロゲンフリーでRoHSに準拠した。

　標準オン抵抗はSiZF5300DTが10Vで2.02mΩ、4.5Vで2.93mΩ、SiZF5302DTが10Vで2.7mΩ、4.5Vで4.4mΩ。標準ゲート電荷はSiZF5300DTが9.5nC、SiZF5302DTが6.7nCで、オン抵抗が同等の前世代品と比較して、35％低いFOM（オン抵抗×ゲート電荷）となっている。