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オン抵抗30%低減 ロームの第5世代SiC MOSFET車載、産業機器向け

ロームは、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代SiC MOSFET」を開発した。従来の第4世代品と比較して、175℃時のオン抵抗値を約30%低減している。

» 2026年05月13日 09時00分 公開
[EDN Japan]

 ロームは2026年4月、車載用電動パワートレインや産業機器向け電源に適した「第5世代炭化ケイ素(SiC)MOSFET」を発表した。2025年からベアチップサンプルの提供を開始し、2026年3月に開発を完了。同年7月から、ディスクリートおよびモジュールのサンプル提供を開始する予定だ。

「第5世代SiC MOSFET」のイメージ 「第5世代SiC MOSFET」のイメージ 出所:ローム

オン抵抗値を約30%低減

オン抵抗値を低減 オン抵抗値を低減 出所:ローム

 同製品は、SiC素材を採用した「EcoSiC(エコエスアイシー)」ブランドの新製品となる。素子構造を見直して製造プロセスを最適化したほか、高温動作時のオン抵抗値を低減。従来の第4世代品との比較では、175℃時のオン抵抗値を約30%低減している。

 主な用途として、電動車(xEV)用トラクションインバーターや車載充電器(OBC)などの車載機器、AIサーバ、データセンター用電源などの産業機器を見込む。高温環境で使用するアプリケーションで、ユニットの小型化や高出力化に寄与する。

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