インフィニオン テクノロジーズは、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素(SiC)双方向スイッチ(BDS)を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。
インフィニオン テクノロジーズは2026年6月、750V耐圧の「CoolSiC G2」技術をベースとした、炭化ケイ素(SiC)双方向スイッチ(BDS)を発表した。2つのパワースイッチを1つのデバイスに統合している。すでにサンプル提供を開始している。
同製品は、トップサイド冷却対応のQ-DPAKパッケージに、コモンドレイン構造を採用した垂直統合型デュアルダイを搭載。2つのパワースイッチを集積したことで、回路設計の簡素化と従来の回路トポロジーの刷新に寄与する。
優れたRDS(on)×QfrとRDS(on)×QOSS、低Qg特性により、スイッチング損失と導通損失を抑える。これにより、高速かつ高効率なスイッチングに対応した。25℃時のゲートしきい値電圧は標準4.5Vで、過渡ゲート電圧は−11〜+25Vに対応する。200V/nsのdv/dt耐性により、高周波設計でも高い信頼性を確保する。
840V(BR)DSSの耐圧性能とアバランシェ耐量、最大200℃で100時間の過負荷耐性、2マイクロ秒の短絡耐量を備え、過電圧やエネルギーパルス、突入電流などのストレスからシステムを保護する。オン抵抗14〜66mΩの製品ラインアップを予定する。
主な用途として、車載充電器(OBC)や電気自動車(EV)充電、eFuse、プリチャージ回路を見込む。産業分野では、液冷対応高電圧直流給電(HVDC)のAI電源、住宅用太陽光や蓄電システム、医療機関やオンサイトデータセンター向けの空調制御システム(HVAC)などでの活用が見込まれる。
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