最大5MHz動作を可能にした4MビットのReRAM : 富士通セミコン MB85AS4MT
富士通セミコンダクターは、メモリ容量4MビットのReRAMの提供を開始した。SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。
「MB85AS4MT」のイメージ
富士通セミコンダクターは2016年10月、メモリ容量4MビットのReRAM(Resistive Random Access Memory:抵抗変化型メモリ)「MB85AS4MT」の提供を開始した。ReRAMの量産製品としては世界最大容量で、1.65〜3.6Vの幅広い電源電圧で動作する。パナソニックセミコンダクターソリューションズと共同開発した。
MB85AS4MTは、SPIインタフェースで最大5MHz動作を可能とし、5MHz動作時の読み出し動作電流は0.2mAとなっている。書き込み動作電流は1.3mA、スタンバイ電流は10μA、スリープ電流は2μAで、低消費電力に対応した。
パッケージは、他の不揮発性メモリ製品とピン互換性を備えた209mil 8ピンSOPで提供。小型ながら、シリアルインタフェースEEPROMを超える4Mビットのメモリ容量を搭載した。書き込み保証回数は120万回で、読み出し保証回数は無限回となっている。
また、大容量で低消費電力の特長を備えたことで、バッテリー駆動のウェアラブル端末や補聴器などの医療機器、計測機器などのIoTデバイスに適用できるとしている。
無限の書き込み耐性を搭載したEERAMメモリ
マイクロチップ・テクノロジーは、無限の書き込み耐性を搭載したメモリソリューションを発表した。電源喪失時にも、外付けバッテリーなしで安全にデータを保持するという。
車載用シリアルEEPROM、HSNT-8パッケージを採用
エスアイアイ・セミコンダクタは、2.0×3.0×0.5mmのHSNT-8パッケージを採用した、車載用シリアルEEPROM「S-93CXXCD0H」シリーズと「S-93AXXBD0A」シリーズを発売する。書き込み速度が4ミリ秒と高速な上、最小1.6Vの低電圧動作を実現している。
4ボールWLCSPと完全な互換性を備えたEEPROM
STマイクロエレクトロニクスは、シリアルEEPROMのM24ファミリに新製品4種を追加した。4ボールWLCSPと完全な互換性を備え、400万回の消去/書き込みサイクル、200年間のデータ保持期間などの既存機能も搭載。単価は1000個購入時に約0.14米ドルで、現在サンプル出荷中である。
HyperFlash製品ファミリに256Mビット品を追加
サイプレス セミコンダクタは、HyperBusインタフェースに対応したNOR型フラッシュメモリ「HyperFlash」製品ファミリとして、3.0V版の256Mビット品「S26KL256S」を新たに追加し、サンプル出荷を始めた。
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