DPAK採用のパワーバイポーラトランジスタ：ネクスペリア MJDシリーズ

ネクスペリアは、車載および産業グレードのパワーバイポーラトランジスタ「MJD」シリーズに9製品を追加した。放熱性と電気特性に優れたDPAKパッケージで提供し、車載LEDやディスプレイ調光、モーター駆動などに適する。

» 2021年08月16日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ネクスペリアは2021年7月、車載および産業グレードのパワーバイポーラトランジスタ「MJD」シリーズに、新たに9製品を追加した。放熱性能と電気特性に優れたDPAKパッケージで提供する。

パワーバイポーラトランジスタ「MJD」シリーズ

定格2～8Aおよび45～100V製品を新たにラインアップ

　MJDシリーズは、放熱性能に優れ、エネルギー効率と信頼性の高さを誇る。定格は、「MJD2873」「MJD2873-Q」が2A／50V、「MJD31CH-Q」が3A／100V、「MJD148」「MJD148-Q」が4A／45V、「MJD41C」「MJD41C-Q」「MJD42C」「MJD42C-Q」が6A／100V。極性はPNPまたはNPN型があり、全許容損失（Ptot）は1万5000mW。車載規格AEC-Q101に準拠しており、MJD31CH-Qは高ゲイン製品だ。

　パッケージの大きさは6.1×6.6×2.3mmで、他のDPAKパッケージMJD製品とピン互換性を備える。堅牢性が高く、車載LEDライティング、LCDディスプレイのバックライト調光、リニア電圧レギュレーター、リレーの代替、モーター駆動、MOSFETドライバなどに適する。

低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET
Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。
定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET
ネクスペリアは、定格40Vの車載向けハーフブリッジMOSFET「BUK7V4R2-40H」「BUK9V13-40H」を発表した。MOSFET間を内部クリップ接続することで、寄生インダクタンスを60％低減し、基板上の配線も不要なため、実装面積を30％削減できる。
車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ
ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。
車載向けSWF採用のDFNパッケージ製品
Nexperiaは、DFNパッケージを採用した、車載規格AEC-Q101認証済みのディスクリート製品を発表した。SWF採用により自動光学検査に対応し、はんだ付け後の接合部を目視検査できる。
車載など向けの低オン抵抗650V GaN FET
Nexperiaは、次世代GaN技術を採用した650V GaN FET「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、オン抵抗はそれそれ最大41mΩ、最大39mΩに抑えている。
650Vの高電圧高効率GaN FET
Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。