低オン抵抗、高電力密度の40V MOSFET：Nexperia BUK7S0R5-40H、PSMNR55-40SSH

Nexperiaは、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。オン抵抗が0.55mΩと低く、電力密度も向上している。

[EDN Japan]

　Nexperiaは2021年5月、40VパワーMOSFETの新製品として、車載向けの「BUK7S0R5-40H」と産業機器向けの「PSMNR55-40SSH」を発表した。従来型の2個の並列接続部品を1個で代替でき、製造工程がシンプルになる。

　オン抵抗（RDS(on)）が0.55mΩで、同社の40V MOSFETの中で最も低い値を記録している。電力密度も向上しており、従来のD2PAK製品に比べて50倍以上になっている。

40VパワーMOSFET「BUK7S0R5-40H」のイメージ 出典：Nexperia

高いSOA特性を提供

　1ミリ秒、20VDSの動作条件でのSOA（安全動作領域）が35Aで、10ミリ秒、20VDSでは17A。測定値でシングルパルスアバランシェ定格（EAS）は2.3J、ID電流定格は500Aになった。

　車載向けのBUK7S0R5-40Hは、車載用電子部品規格「AEC-Q101」に準拠し、同規格の要求値に対して2倍超の信頼性を有する。ブレーキやパワーステアリング、バッテリー逆接保護などの用途に適する。

　産業機器向けのPSMNR55-40SSHは、電動工具や家電、ファンなどのバッテリー絶縁や電流制限、電子ヒューズ、モーター制御などの用途に適する。

　両製品ともに、同社独自のパッケージ「LFPAK」を採用。サイズは8×8×1.7mmになっている。