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車載、高電圧回路向け80V抵抗内蔵トランジスタ：ネクスペリア NHDTx、NHUMxシリーズ

ネクスペリアは、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。

» 2021年01月26日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ネクスペリアは2021年1月、48V車載システムや高電圧バス回路向けに、80V抵抗内蔵トランジスタ（RET）「NHDTx」「NHUMx」シリーズ42製品を発表した。既に量産を開始している。

ダブルRETもラインアップ

　NHDTxシリーズは、PNPまたはNPN型トランジスタを内蔵し、2.9×1.3×1mmのSOT23パッケージ、または2×1.25×0.95mmのSOT323で提供する。なお、全許容損失（Ptot）は、SOT23が250mW、SOT323が235mWだ。

80V抵抗内蔵トランジスタ「NHDTx」「NHUMx」シリーズ

　NHUMxシリーズは、2つのトランジスタを内蔵したダブルRETで、Ptotは350mW。2.1×1.25×0.95mmのSOT363パッケージで提供する。

　いずれもトランジスタとバイアス抵抗、バイアスエミッタ抵抗を組み合わせているため、回路設計の簡素化、プリント基板上の実装面積の削減、ピックアンドプレース時間の短縮、製造コストの削減に貢献する。最大電流は100mAで、車載規格AEC-Q101に準拠する。

　従来の50V製品と同等のバイアス抵抗を採用しつつ、大きなスパイクやパルスにも対応できる。マイルドハイブリッド車や電気自動車向けの48V車載ボードネットのほか、汎用スイッチや増幅システムにも適している。

－40V、－60V耐圧の低オン抵抗Pch MOSFET
ロームは、産業機器や大型民生機器向けに、24V入力対応の－40Vおよび－60V耐圧Pチャンネル（Pch） MOSFETのシングル品および、デュアル品計24製品を開発した。オン抵抗は、－40V耐圧品で同社従来品比62％減、－60V耐圧品で同52％減となっている。
1200V対応、自然冷却のパワーMOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、SiCパワーMOSFETファミリー「CoolSiC MOSFET」に1200V用に最適化された新製品を追加した。自然空冷を可能にしたことで冷却ファンや関連設備を不要とし、損失も従来比で最大80％削減できる。
4端子構成パッケージのSiC-MOSFET
三菱電機は、「SiC-MOSFET 1200V-Nシリーズ TO-247-4パッケージ」6品種のサンプル提供を2020年11月に開始する。4端子パッケージ採用により、従来品と比較してスイッチング損失を約30％低減した。
実装信頼性の高い1010サイズの車載向けMOSFET
ロームは、車載規格AEC-Q101に準拠した超小型MOSFET「RV8C010UN」「RV8L002SN」「BSS84X」を発表した。はんだの実装信頼性が高く、小型化と高放熱化を両立しており、車載ECUやADASに適している。
定格温度175℃のダイオードとトランジスタ
Nexperiaは、SOT23パッケージを採用した定格温度175℃のダイオードと汎用トランジスタ製品を発売した。AEC-Q101準拠で車載用途に適しており、許容損失が増加していることから、ギアボックスなどの高温設計が可能になる。
スマート産業向け65V LDMOS RFパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、スマート産業向けのRFパワートランジスタ、65V LDMOS製品「MRFX」シリーズの新たなラインアップ「MRFX1K80N」「MRFX600H」「MRFX035H」を発表した。