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車載など向けの低オン抵抗650V GaN FET：Nexperia GAN041-650WSB、GAN039-650NBB

Nexperiaは、次世代GaN技術を採用した650V GaN FET「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、オン抵抗はそれそれ最大41mΩ、最大39mΩに抑えている。

» 2020年07月03日 09時00分公開

[EDN Japan]

　Nexperiaは2020年6月、650V GaN（窒化ガリウム）FETの「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」を発表した。両製品とも、車載用半導体規格「AEC-Q101」に準拠、車載、5G（第5世代移動通信）、データセンター市場などに向け展開する。既にサンプル供給を開始している。

650V GaN FETデバイス「GAN041-650WSB」「GAN039-650NBB」

　両製品は、エピ貫通ビアを用いる次世代高耐圧GaN HEMT H2技術を採用。これにより不具合が低減し、ダイのサイズが約24％縮小している。安定性とスイッチング性能、オン状態の性能に優れ、複雑なドライバや制御機能を必要としないカスコード構成のため、アプリケーション設計を簡素化する。

パッケージは2種、どちらも低オン抵抗

　GAN041-650WSBはTO-247パッケージで、オン抵抗を最大41mΩに低減した（25℃時の代表値は35mΩ）。GAN039-650NBBは、銅クリップを用いた同社独自のCCPAK表面実装パッケージを採用しており、オン抵抗が最大39mΩとさらに低くなっている（25℃時の代表値は33mΩ）。CCPAKパッケージは、上面あるいは下面冷却の構成で、放熱特性をさらに高められる。

　同社は、まずGAN041-650WSBと電源モジュールメーカー向けのベアダイ製品をリリースし、続けてGAN039-650NBBを発売する。

650Vの高電圧高効率GaN FET
Nexperiaは、650Vの高電圧高効率GaN FET「GAN063-650WSA」を発表した。量産に対応する高い拡張性を備え、堅牢で、低オン抵抗および高速スイッチング特性を有する。
最大10kW対応の600V GaN FET
日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。
650V GaN FETパワー半導体をPFCに採用
トランスフォームは、同社の高電圧650V GaN（窒化ガリウム）FETパワー半導体「TP65H035WS」が、シーソニックエレクトロニクスの1.6kWブリッジレストーテムポールPFC（力率改善）プラットフォーム「1600T」に採用されたと発表した。
スイッチング周波数50MHzの高速GaN FETドライバー
日本テキサス・インスツルメンツは、速度重視のアプリケーション向けに、60MHzローサイドGaN（窒化ガリウム）ドライバー「LMG1020」と最大200VのGaN FET向け50MHzハーフブリッジドライバー「LMG1210」を発表した。
宇宙産業用耐放射線パッケージのGaN FETとドライバー
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに、耐放射線パッケージのGaN（窒化ガリウム）FET「ISL7023SEH」（100V、60A）、「ISL70024SEH」（200V、7.5A）と、ローサイドGaN FETドライバー「ISL70040SEH」を発表した。
GaN半導体をベースとした三相インバーター
日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は、GaN（窒化ガリウム）半導体をベースとした三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」を発表した。GaNパワーステージ「LMG3410」を搭載し、24kHz時に99％以上の高効率動作を可能にした。