オン抵抗を30％低減、100V耐圧のNチャネルMOSFET：ルネサス RBA300N10EANS、RBA300N10EHPF

ルネサス エレクトロニクスは、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」および、TOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売する。

[EDN Japan]

　ルネサス エレクトロニクスは2025年1月、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」および、TOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売すると発表した。既に量産を開始している。

100V耐圧のNチャネルMOSFET「RBA300N10EANS」「RBA300N10EHPF」 出所：ルネサス エレクトロニクス

スプリットゲート構造の新プロセス採用

　両製品とも、同社が新たに開発したスプリットゲート構造の新プロセス「REXFET-1」を採用。既存プロセス「ANM2」を用いた製品「RBA250N10CHPF」と比較して、オン抵抗を30％低減、ゲート総電荷量を10％削減、ゲートドレイン間電荷量を40％削減した。

　両製品とも、業界標準パッケージを採用しているため、他社製品とのピン互換性がある。また、従来のTO-263パッケージと比較して50％の小型化を達成した。TOLLパッケージはウェッタブルフランク構造を採用し、自動外観検査にも対応している。

　主な用途として、スイッチング電源、モーター制御用インバーター、バッテリーマネジメントシステムなど、電流負荷の大きい応用に適している。また、電気自動車、電動自転車、充電ステーション、電動工具などの製品の性能向上も可能だ。