損失抑制でシステム信頼性を向上 ビシェイの高耐圧ダイオード：ライフタイム制御技術を採用

ビシェイ・インターテクノロジーは、SMPC HVパッケージを採用した高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷は標準値105nCまで。

[EDN Japan]

ダイオード「eSMP」シリーズ 出所：ビシェイ・インターテクノロジー

　ビシェイ・インターテクノロジーは2026年6月、SMPC HVパッケージを採用した、高耐圧ダイオード「eSMP」シリーズ6製品を発表した。すでにサンプルと量産品の提供を開始していて、量産時の標準納期は8週間だ。

　「VS-E7SX0112-M3V」「VS-E7SX0212-M3V」「VS-E7SX0312-M3V」と、車載向け電子部品規格「AEC-Q101」認定を取得した「VS-E7SX0112HM3V」「VS-E7SX0212HM3V」「VS-E7SX0312HM3V」の6種をラインアップにそろえた。定格電流は1A、2A、3Aを用意している。

　逆回復時間は50ナノ秒、逆回復電荷（Qrr）は標準値105nCまで、順方向電圧降下（VF）は最小1.45V、接合容量は最小7.25pF。最大70Aの非繰り返しピークサージ電流に対応する。

ライフタイム制御技術を採用

　プレーナー構造とプラチナドープによるライフタイム制御技術を採用。加えて、蓄積電荷と回復電流を最適化した。スイッチング損失や電力損失を抑制することで、システムの信頼性や堅牢性の向上を図っている。

　パッケージサイズは4.3×6.5×1.1mmで、TO-277Aとフットプリントでの互換性を有する。また、最小5.4mmの沿面距離と、比較トラッキング指数（CTI）600以上のモールド樹脂を組み合わせた。これにより、高電圧用途において絶縁協調に関する国際規格「IEC 60664-1」の要求事項に対応する。部品点数や部品表（BOM）コストの削減に寄与する。

　産業機器や車載、エネルギーなどの分野におけるクランプダイオード、スナバダイオード、フリーホイールダイオード、高周波ブートストラップドライバー向けダイオードなどを用途に想定する。高速スイッチングIGBTや高耐圧シリコン（Si）MOSFET、炭化ケイ素（SiC）MOSFET向けのDESAT保護用途にも対応できる。