ロームは、窒化ガリウム(GaN)HEMTの高周波スイッチングに対応するTotem Pole PFC(TP-PFC)コントローラーIC「BM85060FV」を開発した。300〜500WクラスのAC-DC電源における高効率化や周辺部品の小型化、待機電力の削減を実現する。
ロームは2026年10月27日、窒化ガリウム(GaN)HEMTの高周波スイッチングに対応するTotem Pole PFC(TP-PFC)コントローラーIC「BM85060FV」を開発したと発表した。サンプル価格は670円(税別)で、既に販売を開始している。
同製品は、メガヘルツ(MHz)帯での動作に対応し、ACアダプターやプロジェクターなどの民生機器、小型産業機器に用いられる300〜500WクラスのAC-DC電源において、システムレベルで99%の変換効率を実現できるという。電力損失や発熱を抑えられることに加え、スイッチング周波数の高周波化により周辺部品の小型化が可能となり、電源回路の省スペース化に貢献する。
無負荷時消費電流150μAを実現した。これは、一般品に比べ70%低い値だという。待機電力を削減できるので、DoE Level7やCoC Tier2の省エネルギー要求を満たす電源システムの構築を支援する。雷サージ対策回路などの各種保護機能も内蔵しているので、設計負担の軽減やシステム信頼性の向上を図ることができる。
インターネット販売に対応するほか、330W出力のTP-PFC評価ボードも用意している。
GaN HEMTとTP-PFC回路を組み合わせた電源は、電力損失を大幅に削減できる。従来のTP-PFC制御ではマイコン(MCU)が広く用いられてきたが、小型の電源機器では、消費電力やサイズ、コストに加え、GaN HEMTの高周波スイッチングを実現するための制御も課題になっていた。BM85060FVは、こうした課題に応える製品として開発された。
※本記事は制作段階で生成系AIを利用していますが文責は編集部に帰属します(ITmedia AI倫理ポリシー)。
ウエハーそのものが「パッケージ」に onsemiのパワー半導体向け新技術
パワー半導体の基礎知識
SiCパワー半導体とは? 大電力製品の小型・軽量化にむけて
急成長するSiCとGaNパワー半導体、その現状を知るCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
記事ランキング
コーナーリンク