「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

東京理科大が開発
ウェアラブルデバイスの「電池切れ」を解消？　“メモリで考える”極小AIとは
バッテリー容量の制限や処理能力の限界が、IoTデバイスの性能向上を妨げている。東京理科大学が新たに開発した技術は、そうした限界を克服できるAIモデルの実現可能性を示すものだ。どのような仕組みなのか。（2024/11/15）

STマイクロ STPMIC25：
16チャネル分の電源を集積したSTプロセッサ用PMIC
STマイクロエレクトロニクスは、マイクロプロセッサ「STM32MP2」用のパワーマネジメントIC「STPMIC25」を発表した。16チャンネル分の電源を1パッケージに集積している。（2024/10/23）

EEPROMとフラッシュの特長を生かす：
ST、不揮発性メモリ「ページEEPROM」を発表
STマイクロエレクトロニクスは、ウェアラブル機器や医療機器、アセットトラッキング、電動アシスト自転車といった用途に向けたページEEPROM「M95P」を発表した。シリアルフラッシュの速度／容量と、EEPROMのバイトアクセスという柔軟性を両立させた。（2024/10/22）

組み込み開発ニュース：
Bluetooth 6.0対応のアンテナ内蔵BLEモジュールを開発
加賀FEIは、Bluetooth 6.0対応のアンテナ内蔵BLEモジュール「ES4L15BA1」を開発した。3.25×8.55×1.00mmと小型で、サンプル提供は2025年2月、量産開始は2025年9月の予定だ。（2024/10/17）

工場建設も続々：
「欧州半導体法」で主導権争いに加わるEU　世界シェア20％を目指す
EUは「欧州半導体法」を制定し、半導体業界における競争力とレジリエンス強化を目指している。同法に基づいて430億ユーロの資金が調達される予定で、既に複数の工場や研究開発施設の建設プロジェクトが進行している。（2024/9/19）

研究開発の最前線：
クロム窒化物が相変化により大きな電気抵抗変化を示すことを発見
東北大学と慶應義塾大学は、クロム窒化物がアモルファス相を介さない相変化により、大きな電気抵抗変化を示すことを発見した。高速ジュール加熱を施し、透過電子顕微鏡により相変化メカニズムの解明を試みた。（2024/8/26）

クイズで学ぶ！　半導体の基礎知識：
【問題】メモリの種類と特長は？
EDN Japanの記事からクイズを出題！　半導体／エレクトロニクス技術の知識を楽しく増やしていきましょう。（2024/8/15）

相変化メモリの新材料として期待：
東北大ら、クロム窒化物で高速な相変化機能を発見
東北大学と慶應義塾大学、漢陽大学校（韓国）、産業技術総合研究所（産総研）らの研究グループは、クロム窒化物（CrN）が高速な相変化によって電気抵抗が大きく変化することを発見した。CrNは環境に優しく動作電力を低減できることから、相変化メモリ（PCRAM）の情報記録材料として期待されている。（2024/8/9）

AWSで学ぶクラウド時代のサーバ＆ストレージ基礎知識（2）：
ストレージなんて見たことがない――基礎から学びたい人の「ブロックストレージ」超入門
これまであまり物理的なサーバとストレージに触れてこなかった方を対象に、AWSを用いてサーバとストレージの基礎知識を解説する連載。第2回は、Amazon EC2向けのストレージサービス「Amazon EBS」を詳しく解説する。（2024/7/19）

MatterやThreadにも対応：
Arm／RISC-Vコア搭載BLE SoC　24年9月に量産開始
Nordic Semiconductorは、「ワイヤレスジャパン 2024」（2024年5月29〜31日／東京ビッグサイト）に出展し、Bluetooth 5.4やLE Audio、Bluetooth Mesh、Thread、Matterなどの通信規格に対応した最新のマルチプロトコルSoC（System on Chip）を展示した。（2024/7/2）

福田昭のストレージ通信（262）：
「フラッシュメモリサミット」が「フューチャーメモリアンドストレージ」に改名
2024年8月に「フューチャーメモリアンドストレージ（FMS：The Future Memory and Storage）」が米国で開催される。「Flash Memory Summit」から名称を変更したイベントとなる。（2024/6/21）

車載マイコンリーダーのインフィニオンが汎用マイコンでも躍進：
PR：AI、セキュリティ……インテリジェント化が進む次世代IoT向けの全く新しいマイコン「PSOC Edge」が誕生！
インフィニオン テクノロジーズは、本格的なAI搭載を実現するIoT機器向けの新マイコン「PSOC Edge」を発表した。「PSOC Edge」は、特定顧客へのサンプル出荷を開始している。（2024/6/20）

カスタムか、標準か：
メモリベンダーの「生き残り戦略」を考察する
急速に成長している市場として注目を集めるHBM（広帯域幅メモリ）。HBMをはじめ、メモリを手掛けるメーカーは、どのような戦略を立てるべきなのか。本稿ではメモリベンダーの“生き残り戦略”を解説する。（2024/5/31）

MRAMの動作周波数をTHz帯に向上：
超高速／超省電力メモリ開発へ「大きな一歩」、ワイル反強磁性体の磁気状態を交換バイアスで制御
東京大学は、交換バイアスによりワイル反強磁性体「Mn▽▽3▽▽Sn」の磁気状態を室温で制御可能なことを発見した。反強磁性体を用いた超高速、超省電力の次世代メモリを開発するための重要な技術と位置付ける。（2024/5/15）

ターゲットは産業機器：
「STM32」でエッジAIを加速　STの日本市場戦略
STマイクロエレクトロニクスは2024年4月、32ビットマイコンを中心とした同社の製品群「STM32」の戦略や各製品の特徴についての説明会を開催した。（2024/5/9）

小〜中電力帯動作の産業機器向け：
アナログとデジタルの長所を融合した電源、ロームが提供開始
ロームは、アナログとデジタルの長所を融合した電源ソリューション「LogiCoA（ロジコア）」の提供を始めた。小〜中電力帯で動作する産業用ロボット機器や半導体製造装置などの用途に向ける。（2024/4/25）

組み込み開発ニュース：
次世代組み込みプロセッサ向け18nmプロセス技術、FD-SOIと相変化メモリがベース
STマイクロエレクトロニクスは、18nm FD-SOI技術と組み込み相変化メモリをベースにしたプロセス技術を発表した。現行品と比較して電力効率が50％以上向上し、不揮発性メモリの実装密度は2.5倍になっている。（2024/4/11）

人工知能ニュース：
従来比30倍の電力効率を達成したオンデバイスAI向けSoCを発表
Ambiqは、「Apollo5」SoCファミリーの新製品「Apollo510」を発表した。Arm Cortex-M55をベースとする新製品は、前世代品の「Apollo4」と比較して電力効率が30倍、高速性能が10倍向上している。（2024/4/10）

DRAMとの“距離”はまだ遠く：
「3D NANDの進化」に必要な要素とは
新興の不揮発性メモリと並行して、3D NAND型フラッシュメモリの開発も続いている。DRAMやSCM（ストレージクラスメモリ）との性能のギャップを少しでも埋めるためにどのような技術開発が進んでいるのだろうか。（2024/4/1）

ベースは18nm FD-SOI＋ePCM技術：
ST、次世代「STM32」マイコンに向けたプロセス技術を発表
STMicroelectronicsは、次世代マイコンに向けて開発したプロセス技術を発表した。18nm FD-SOI（完全空乏型シリコンオンインシュレーター）と組み込み相変化メモリ（ePCM）技術をベースとしており、次世代マイコンの大幅な性能向上と消費電力の削減を目指す。（2024/3/29）

インフィニオンがLPDDR4対応NORを間もなく量産へ：
PR：従来比20倍のランダム読み出し速度を実現！　高速I/F品の登場で車とともに飛躍が期待されるNORフラッシュ
ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。（2024/3/27）

組み込み型相変化メモリ搭載：
STがマイコンに18nm FD-SOIプロセス採用へ、25年後半に量産へ
STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。（2024/3/21）

組み込み開発ニュース：
ルネサスがマイコン混載MRAMで200MHz超の高速読み出し、今後は製品開発へ移行
ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM（MRAM）の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。（2024/2/21）

PR：筑波大学のスパコン「省エネ性能で日本一」は何がすごいのか　“最先端”に懸ける思い
（2024/1/23）

研究開発の最前線：
STT-MRAMの微細化技術を確立、AIや車載向けのカスタマイズが可能に
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立した。磁気トンネル接合素子を数nm領域に微細化しながら、AIや車載など用途に合わせたカスタマイズが可能となる。（2024/1/19）

数nm世代のSTT-MRAMに対応：
東北大学、用途に合わせMTJ素子特性をカスタマイズ
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ（STT-MRAM）の記憶素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。（2024/1/17）

PR：筑波大学の「最新スパコン」　“国内最高位”になるまでの軌跡
（2024/1/17）

高温下でスピンホール効果を増大：
磁気抵抗メモリの高性能化に向けた新原理を発見
東京工業大学は、非磁性体の「TaSi2」において、フェルミレベル近傍にバンドの縮退点（ベリー位相のモノポール）を配置することにより、高温下でスピンホール効果を増大させる新原理を発見した。SOT（スピン軌道トルク）方式を用いる磁気抵抗メモリについて、高温下での性能改善が期待される。（2024/1/10）

STマイクロ STEVAL-WLC38RX、STEVAL-WBC86TX：
Qi対応レシーバーICおよび、トランスミッター評価ボードを発表
STマイクロエレクトロニクスは、Qi対応レシーバーICおよびトランスミッターICをベースとした評価ボード「STEVAL-WLC38RX」「STEVAL-WBC86TX」を発表した。（2023/12/14）

フラッシュメモリ、EEPROMの独自市場【後編】
NAND型より「NOR型」「EEPROM」といった不揮発性メモリはなぜ必要？
NAND型フラッシュメモリだけではなく、「EEPROM」や「NOR型フラッシュメモリ」といった不揮発性メモリも、電子機器をはじめさまざまな用途で活躍している。容量の違いを踏まえて、それぞれの特性を見てみよう。（2023/11/11）

フラッシュメモリ、EEPROMの独自市場【前編】
不揮発性メモリ「NAND型フラッシュ」「NOR型」や「EEPROM」の違い
よく知られる「NAND型フラッシュメモリ」以外にも、「EEPROM」といった不揮発性メモリがある。こうした異なる不揮発性メモリはなぜ生み出され、それぞれ技術的にどのような違いや利点があるのか。（2023/11/5）

TDK HAL 3927：
アナログ出力／SENTプロトコルを搭載した3Dホールセンサー
TDKは、アナログ出力やSENTプロトコルを備えた、3Dホールセンサー「HAL 3927」を発表した。独自の「3D HALピクセル・セル・テクノロジー」を採用し、水平磁界成分、垂直磁界成分のX、Y、Z軸を直接測定できる。（2023/10/27）

研究開発で分かるSSDの挑戦【第1回】
SSDの新たな挑戦「CXL接続」はストレージの希望なのか？
CXL接続SSDはまだ研究開発段階にあるに過ぎないが、それが実現した場合にはストレージの設計やコンピューティング在り方を大きく変える可能性がある。どのようなものなのか。（2023/10/2）

欧州の”半導体ルネサンス”を主導：
欧州に進出するTSMCの狙いと、半導体産業への影響
TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。（2023/9/22）

「業界最高」の正確性：
ボタン1つでSiC/GaNパワーモジュールの動特性を評価
キーサイト・テクノロジーは同社のユーザー向けイベント「Keysight World 2023」で、SiC／GaNパワーモジュールの評価に対応した最新パワーデバイスアナライザー「PD1550A」の実機を国内で初めて展示した。（2023/9/14）

ナノ水準のボトムコンタクト構造：
東工大、面内分極を用いた不揮発性メモリ開発
東京工業大学は、ナノチャネルボトムコンタクト型2次元強誘電半導体「α-In2Se3（α相セレン化インジウム）」メモリを開発した。マルチレベルセル（MLC）相当の記憶状態を得られる可能性があるという。（2023/8/25）

極性構造を有する超格子を利用：
ゼロ磁場下で超伝導ダイオード効果を磁化制御
京都大学らによる研究グループは、薄膜積層方向に極性構造を有する超格子において、ゼロ磁場下で超伝導ダイオード効果を磁化制御することに成功した。今回の成果は、超低消費電力の不揮発性メモリや論理回路の実現に貢献するとみられる。（2023/8/7）

小型ドライバーでPCのBIOSパスワードを回避する方法　研究者が発見
ニュージーランドのセキュリティ研究者が、小型のドライバーを使用してノートPCのBIOSパスワードを回避する方法を発見した。（2023/6/20）

データ転送速度が8倍：
LPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュメモリ
インフィニオン テクノロジーズはLPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュ「SEMPER X1」を発表した。同社従来製品比でデータ転送速度が8倍、ランダム読み出し速度が20倍向上した。（2023/5/18）

ノルディックセミコンダクター nRF54H20：
第4世代のマルチプロトコルSoC
ノルディックセミコンダクターは、同社の第4世代のマルチプロトコルSoC（System on Chip）「nRF54H20」の販売を開始した。Bluetooth 5.4やLE Audio、Bluetoothメッシュ、Matter、Threadといった規格に対応する。（2023/4/26）

性能向上と長寿命化を可能に：
ST、リチウム電池向けの充電制御ICを発表
STマイクロエレクトロニクスは、リチウム電池の性能向上と長寿命化を可能にする充電制御IC「L9961」を発表した。コードレス電動工具やバックアップ用蓄電システム、無停電電源装置などの用途に向ける。（2023/4/18）

GlobalFoundriesで製造：
ルネサス、22nmマイコンのサンプル出荷を開始
ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は2023年4月11日、22nmプロセスを採用したマイコンのサンプル出荷を開始した。（2023/4/11）

Q&Aで学ぶマイコン講座（77）：
マイコン内蔵EEPROMの使い方
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初心者の方からよく質問される「内蔵EEPROMの使い方」についてです。（2023/1/31）

FRAMとReRAMに高い注目度：
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ（PCM）は現れていない。【訂正あり】（2022/12/27）

次世代メモリの筆頭が消える【第5回】
IntelのOptane撤退が残した「次世代メモリの“うれしい遺産”」とは
不揮発性メモリであるOptaneが打ち出した発想から、さまざまな動きが起こった。Intelが事業の撤退を明かし、関心は次の時代へと移行する。（2022/11/21）

次世代メモリの筆頭が消える【第4回】
“NAND型フラッシュメモリの成功”をOptaneが再現できなかった理由
非揮発性メモリ「Intel Optane」は、NAND型フラッシュメモリのような大成功を成し遂げることなく終わってしまう。何がうまく機能しなかったのか。（2022/11/14）

次世代メモリの筆頭が消える【第3回】
SSDユーザーに「Optane」が好かれなかった“なるほどの理由”
SSDとメモリのそれぞれの分野において、IntelにはOptaneで成し遂げたい変革があった。ただし幾つかのハードルが、Optaneの普及を阻んだ。（2022/11/7）

福田昭のストレージ通信（244） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（25）：
ビデオカメラの記録媒体にフラッシュメモリが進出（2003年〜2004年）
今回は、動画記録用の媒体にフラッシュメモリを利用したデジタルビデオカメラを報告する。年表の時期は2003年〜2004年である。（2022/11/1）

次世代メモリの筆頭が消える【第2回】
Intelは「Optane」で“SSDの衝撃”の再来を狙っていた？
Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。（2022/10/31）

福田昭のストレージ通信（243） フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表（24）：
さらに小さく速くなるフラッシュメモリカード（2002年〜2004年）
今回は、フラッシュメモリカードの動きを追う。時期は2002年〜2004年である。新しい規格のカードが登場したほか、従来規格のカードがさらに小さくなった。（2022/10/27）