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「不揮発性メモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

「不揮発性メモリ」に関する情報が集まったページです。

関連キーワード

組み込み開発ニュース:
ルネサスがマイコン混載MRAMで200MHz超の高速読み出し、今後は製品開発へ移行
ルネサス エレクトロニクスは、半導体技術の国際会議である「ISSCC 2024」において、マイコンに搭載する不揮発メモリ向けとしてSTT-MRAM(MRAM)の高速読み出し可能な技術と、書き換え動作の高速化を実現する技術を開発したと発表した。(2024/2/21)

PR:筑波大学のスパコン「省エネ性能で日本一」は何がすごいのか “最先端”に懸ける思い
(2024/1/23)

研究開発の最前線:
STT-MRAMの微細化技術を確立、AIや車載向けのカスタマイズが可能に
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリの極限微細化技術を確立した。磁気トンネル接合素子を数nm領域に微細化しながら、AIや車載など用途に合わせたカスタマイズが可能となる。(2024/1/19)

数nm世代のSTT-MRAMに対応:
東北大学、用途に合わせMTJ素子特性をカスタマイズ
東北大学は、スピン移行トルク磁気抵抗メモリ(STT-MRAM)の記憶素子である磁気トンネル接合(MTJ)素子の特性を、用途に合わせてカスタマイズできる材料・構造技術を確立した。記録層に用いる材料の膜厚や積層回数を変えると、「高温でのデータ保持」はもとより「データの高速書き込み」にも対応できるという。(2024/1/17)

PR:筑波大学の「最新スパコン」 “国内最高位”になるまでの軌跡
(2024/1/17)

高温下でスピンホール効果を増大:
磁気抵抗メモリの高性能化に向けた新原理を発見
東京工業大学は、非磁性体の「TaSi2」において、フェルミレベル近傍にバンドの縮退点(ベリー位相のモノポール)を配置することにより、高温下でスピンホール効果を増大させる新原理を発見した。SOT(スピン軌道トルク)方式を用いる磁気抵抗メモリについて、高温下での性能改善が期待される。(2024/1/10)

STマイクロ STEVAL-WLC38RX、STEVAL-WBC86TX:
Qi対応レシーバーICおよび、トランスミッター評価ボードを発表
STマイクロエレクトロニクスは、Qi対応レシーバーICおよびトランスミッターICをベースとした評価ボード「STEVAL-WLC38RX」「STEVAL-WBC86TX」を発表した。(2023/12/14)

フラッシュメモリ、EEPROMの独自市場【後編】
NAND型より「NOR型」「EEPROM」といった不揮発性メモリはなぜ必要?
NAND型フラッシュメモリだけではなく、「EEPROM」や「NOR型フラッシュメモリ」といった不揮発性メモリも、電子機器をはじめさまざまな用途で活躍している。容量の違いを踏まえて、それぞれの特性を見てみよう。(2023/11/11)

フラッシュメモリ、EEPROMの独自市場【前編】
不揮発性メモリ「NAND型フラッシュ」「NOR型」や「EEPROM」の違い
よく知られる「NAND型フラッシュメモリ」以外にも、「EEPROM」といった不揮発性メモリがある。こうした異なる不揮発性メモリはなぜ生み出され、それぞれ技術的にどのような違いや利点があるのか。(2023/11/5)

TDK HAL 3927:
アナログ出力/SENTプロトコルを搭載した3Dホールセンサー
TDKは、アナログ出力やSENTプロトコルを備えた、3Dホールセンサー「HAL 3927」を発表した。独自の「3D HALピクセル・セル・テクノロジー」を採用し、水平磁界成分、垂直磁界成分のX、Y、Z軸を直接測定できる。(2023/10/27)

研究開発で分かるSSDの挑戦【第1回】
SSDの新たな挑戦「CXL接続」はストレージの希望なのか?
CXL接続SSDはまだ研究開発段階にあるに過ぎないが、それが実現した場合にはストレージの設計やコンピューティング在り方を大きく変える可能性がある。どのようなものなのか。(2023/10/2)

欧州の”半導体ルネサンス”を主導:
欧州に進出するTSMCの狙いと、半導体産業への影響
TSMCは2023年8月、ドイツ・ドレスデンに欧州初の半導体工場を設置する計画を正式に発表した。今回、TSMCへのインタビューなどを通じて、同社の狙いと世界半導体産業への影響を考察した。(2023/9/22)

「業界最高」の正確性:
ボタン1つでSiC/GaNパワーモジュールの動特性を評価
キーサイト・テクノロジーは同社のユーザー向けイベント「Keysight World 2023」で、SiC/GaNパワーモジュールの評価に対応した最新パワーデバイスアナライザー「PD1550A」の実機を国内で初めて展示した。(2023/9/14)

ナノ水準のボトムコンタクト構造:
東工大、面内分極を用いた不揮発性メモリ開発
東京工業大学は、ナノチャネルボトムコンタクト型2次元強誘電半導体「α-In2Se3(α相セレン化インジウム)」メモリを開発した。マルチレベルセル(MLC)相当の記憶状態を得られる可能性があるという。(2023/8/25)

極性構造を有する超格子を利用:
ゼロ磁場下で超伝導ダイオード効果を磁化制御
京都大学らによる研究グループは、薄膜積層方向に極性構造を有する超格子において、ゼロ磁場下で超伝導ダイオード効果を磁化制御することに成功した。今回の成果は、超低消費電力の不揮発性メモリや論理回路の実現に貢献するとみられる。(2023/8/7)

小型ドライバーでPCのBIOSパスワードを回避する方法 研究者が発見
ニュージーランドのセキュリティ研究者が、小型のドライバーを使用してノートPCのBIOSパスワードを回避する方法を発見した。(2023/6/20)

データ転送速度が8倍:
LPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュメモリ
インフィニオン テクノロジーズはLPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュ「SEMPER X1」を発表した。同社従来製品比でデータ転送速度が8倍、ランダム読み出し速度が20倍向上した。(2023/5/18)

ノルディックセミコンダクター nRF54H20:
第4世代のマルチプロトコルSoC
ノルディックセミコンダクターは、同社の第4世代のマルチプロトコルSoC(System on Chip)「nRF54H20」の販売を開始した。Bluetooth 5.4やLE Audio、Bluetoothメッシュ、Matter、Threadといった規格に対応する。(2023/4/26)

性能向上と長寿命化を可能に:
ST、リチウム電池向けの充電制御ICを発表
STマイクロエレクトロニクスは、リチウム電池の性能向上と長寿命化を可能にする充電制御IC「L9961」を発表した。コードレス電動工具やバックアップ用蓄電システム、無停電電源装置などの用途に向ける。(2023/4/18)

GlobalFoundriesで製造:
ルネサス、22nmマイコンのサンプル出荷を開始
ルネサス エレクトロニクス(以下、ルネサス)は2023年4月11日、22nmプロセスを採用したマイコンのサンプル出荷を開始した。(2023/4/11)

Q&Aで学ぶマイコン講座(77):
マイコン内蔵EEPROMの使い方
マイコンユーザーのさまざまな疑問に対し、マイコンメーカーのエンジニアがお答えしていく本連載。今回は、初心者の方からよく質問される「内蔵EEPROMの使い方」についてです。(2023/1/31)

FRAMとReRAMに高い注目度:
新たな局面を迎えつつある新興メモリ
新興メモリが、新たな局面を迎えている。しかし、これまでの数年間に、同分野の成長に貢献するような知名度の高い相変化メモリ(PCM)は現れていない。【訂正あり】(2022/12/27)

次世代メモリの筆頭が消える【第5回】
IntelのOptane撤退が残した「次世代メモリの“うれしい遺産”」とは
不揮発性メモリであるOptaneが打ち出した発想から、さまざまな動きが起こった。Intelが事業の撤退を明かし、関心は次の時代へと移行する。(2022/11/21)

次世代メモリの筆頭が消える【第4回】
“NAND型フラッシュメモリの成功”をOptaneが再現できなかった理由
非揮発性メモリ「Intel Optane」は、NAND型フラッシュメモリのような大成功を成し遂げることなく終わってしまう。何がうまく機能しなかったのか。(2022/11/14)

次世代メモリの筆頭が消える【第3回】
SSDユーザーに「Optane」が好かれなかった“なるほどの理由”
SSDとメモリのそれぞれの分野において、IntelにはOptaneで成し遂げたい変革があった。ただし幾つかのハードルが、Optaneの普及を阻んだ。(2022/11/7)

福田昭のストレージ通信(244) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(25):
ビデオカメラの記録媒体にフラッシュメモリが進出(2003年〜2004年)
今回は、動画記録用の媒体にフラッシュメモリを利用したデジタルビデオカメラを報告する。年表の時期は2003年〜2004年である。(2022/11/1)

次世代メモリの筆頭が消える【第2回】
Intelは「Optane」で“SSDの衝撃”の再来を狙っていた?
Intelは、「Optane」の製品群でメモリの“ある課題”を克服することを狙っていた。その意図は、NAND型フラッシュメモリを搭載するSSDの台頭を想起させるものだった。(2022/10/31)

福田昭のストレージ通信(243) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(24):
さらに小さく速くなるフラッシュメモリカード(2002年〜2004年)
今回は、フラッシュメモリカードの動きを追う。時期は2002年〜2004年である。新しい規格のカードが登場したほか、従来規格のカードがさらに小さくなった。(2022/10/27)

フラッシュメモリ「35年」の進歩と歴史【第1回】
NAND型フラッシュメモリ“生みの親”のキオクシアが語る「SSDの進歩」とは
東芝が1987年に発明したNAND型フラッシュメモリを引き継ぐキオクシア。それから35年が経過し、同社が提供する“SSDの進歩”とは。(2022/10/25)

次世代メモリの筆頭が消える【第1回】
Intelはなぜ「Optane」を作り、終わらせるのか 半導体の歴史から探る
メモリに革新をもたらすことを目指していたIntelが、不揮発性メモリ「Optane」の事業を終わりにすることを明らかにした。この衝撃の発表の背景にある、半導体分野の変化とは。(2022/10/24)

福田昭のストレージ通信(242) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(23):
多値記憶(マルチレベル)時代の始まり(1997年〜2001年)(後編)
前回に続き、フラッシュメモリが製品に「多値記憶技術」を駆使し始めた状況を解説する。東芝とサンディスクの合弁事業が話の中心となる。(2022/10/21)

ITワード365:
リスキリングとは? 【ITワード365】事業者間ローミング/エッジAI/TPM/Wear OS/SD-WAN/エンドポイント
最新IT動向のキャッチアップはキーワードから。専門用語でけむに巻かれないIT人材になるための、毎日ひとことキーワード解説。(2022/10/20)

福田昭のストレージ通信(241) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(22):
多値記憶(マルチレベル)時代の始まり(1997年〜2001年)(前編)
今回と次回で、フラッシュメモリが製品に「多値記憶技術(1個のメモリセルに2ビット以上のデータ(論理値)を格納する技術)」を駆使し始めた状況をご紹介する。(2022/10/19)

福田昭のストレージ通信(240) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(21):
ドイツのベンチャーが試作した世界初の携帯型MP3プレーヤー(1995年〜2005年)
今回は、フラッシュメモリを記憶媒体とする、MP3形式の携帯型オーディオプレーヤーを世界で初めて試作していたドイツのベンチャー企業を紹介する。(2022/10/14)

福田昭のストレージ通信(239) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(20):
NECが試作した世界初のフラッシュ対応携帯型オーディオプレーヤー(1994年)
今回は、NECが試作したフラッシュ対応携帯型オーディオプレーヤーを紹介する。(2022/10/12)

車載用12Vシステムの安定性向上:
ST、車載用オルタネーターレギュレーターIC発表
STマイクロエレクトロニクスは、車載用オルタネーターレギュレーターIC「L9918」を発表した。VDAのLINオルタネーターレギュレーター規格や、機能安全規格「ISO26262」の「ASIL-B」に準拠しており、車載用12Vシステムの安定性を高める機能を強化した。(2022/10/12)

福田昭のストレージ通信(238) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(19):
(番外編)携帯型オーディオプレーヤーの歴史年表(1979年〜1993年)
今回は番外編として、携帯型オーディオプレーヤー(携帯型音楽プレーヤー)の主な歴史をたどる。(2022/10/7)

福田昭のストレージ通信(237) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(18):
携帯型MP3プレーヤーの黎明期(1997年〜1998年)
今回はフラッシュメモリを記憶媒体とする携帯型デジタルオーディオプレーヤー(DAP:Digital Audio Player)を扱う。時期は1997年〜1998年である。(2022/10/3)

福田昭のストレージ通信(236) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(17):
大競争時代が続く切手大の小型フラッシュカード(1997年〜2000年)
今回は1997年〜2000年までの動きを追う。この時期に、切手大の小型フラッシュメモリカードが登場した。(2022/9/28)

福田昭のストレージ通信(235) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(16):
PHS内蔵の情報端末で始まった日本の「スマートフォン」(1996年〜1997年)
今回は、日本で初めてのスマートフォンをご紹介する。具体的には、日本独自の簡易型携帯電話システム「PHS(Personal Handy-phone System)」(当初の呼び名は「ピーエイチエス」、後の呼び名は「ピッチ」)と携帯型情報端末(PDA)を融合したデバイスである。(2022/9/22)

福田昭のストレージ通信(234) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(15):
早すぎたスマートフォン「IBM Simon」の詳細(1994年)
前回に続き、IBMが開発した世界で初めてのスマートフォン「IBM Simon Personal Communicator」の詳細をご紹介する。(2022/9/16)

福田昭のストレージ通信(233) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(14):
世界で初めてのスマートフォン「Simon」をIBMが開発(1994年)
フラッシュメモリの歴史年表で1994年を取り上げる。IBMが世界で初めてスマートフォンを開発した経緯を紹介する。(2022/9/13)

福田昭のストレージ通信(232) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(13):
フラッシュメモリ搭載の一般用デジタルカメラが相次いで発売される(1993年〜1996年)
今回は、1993年〜1996年の出来事を取り上げる。一般用のコンパクトデジタルスチルカメラ(略称はコンパクトデジカメ、コンデジ)がフラッシュメモリあるいは小型フラッシュメモリカードによって普及し始めた時期だ。(2022/9/6)

福田昭のストレージ通信(231) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(12):
画像記憶用小型フラッシュメモリカードの戦国時代が始まる(1995年〜1996年)
今回は、画像記憶用小型カードが相次いで開発された、1995〜1996年を扱う。(2022/9/2)

PCMの未来は:
Intelが撤退を公表、3D XPointはどんな遺産を残す?
Intelはこれまで数年間にわたり、NAND型フラッシュメモリとDRAMとの間のストレージ/メモリ階層を実現する技術として、3D XPointメモリの「Optane」を推進してきた。しかし2022年7月、同年第2四半期の業績発表の中で、そのOptane技術の開発を断念することについて、ひっそりと言及した。(2022/8/30)

福田昭のストレージ通信(230) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(11):
エレクトロニクス大手に特許訴訟を仕掛けたICレコーダー発明者の執念(1994年〜)
1994年のICレコーダー発明にまつわるエピソードの続きをご紹介する。(2022/8/30)

福田昭のストレージ通信(229) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(10):
世界初のICレコーダーを襲った悲劇(1994年)
1994年の出来事をご紹介する。フラッシュメモリを内蔵する携帯型デジタル音声レコーダーが発表された年だが、この音声レコーダーには意外なエピソードがあった。【訂正あり】(2022/8/24)

福田昭のストレージ通信(228) フラッシュメモリと不揮発性メモリの歴史年表(9):
小型フラッシュメモリカード「CompactFlash」の登場(1993年〜1995年)
今回は1993年〜1995年の主な出来事をご紹介する。(2022/8/22)

大原雄介のエレ・組み込みプレイバック:
7兆円のCHIPS for America Act成立で矢面に立つIntel
エレクトロニクス/組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は先月末に成立した米国半導体業界の再生に向けた法案「CHIPS for America Act」などにフォーカスする。(2022/8/16)

CXLメモリへの移行を促進:
Intelが「Optaneメモリ」事業を終息へ 2022年第2四半期に減損処理を実施
Intelが2022年第2四半期決算においてOptaneメモリに関する減損処理を実施した。PCI Expressベースの「CXL」接続のメモリの普及に注力するための措置で、Optaneメモリに関連する事業は今後終息に向かうことになる。(2022/8/2)


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にわかに地球規模のトピックとなった新型コロナウイルス。健康被害も心配だが、全国規模での臨時休校、マスクやトイレットペーパーの品薄など市民の日常生活への影響も大きくなっている。これに対し企業からの支援策の発表も相次いでいるが、特に今回は子供向けのコンテンツの無料提供の動きが顕著なようだ。一方産業面では、観光や小売、飲食業等が特に大きな影響を受けている。通常の企業運営においても面会や通勤の場がリスク視され、サーモグラフィやWeb会議ツールの活用、テレワークの実現などテクノロジーによるリスク回避策への注目が高まっている。

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