メディア

オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ日本TI CSD18541F5

日本テキサス・インスツルメンツは、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタを発表した。オン抵抗は54mΩで、従来のロードスイッチに比べ、システムの電力損失を90%削減できる。

» 2016年06月30日 09時00分 公開
[EDN Japan]

実装面積に制約があるアプリケーション向け

NチャネルパワーFemtoFETトランジスタ「CSD18541F5」

 日本テキサス・インスツルメンツ(日本TI)は2016年6月、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタ「CSD18541F5」を発表した。実装面積に制約があるアプリケーション向けとする。

 SD18541F5は、ゲートーソース電圧10V時に54mΩの低いオン抵抗を可能とし、従来の60V動作のロードスイッチに比べ、最終システムの電力損失を90%削減できる。また、ESD(静電気放電)保護ダイオードを内蔵し、MOSFETのゲートを過電圧から保護できる。

 1.53×0.77mmの3ピンランドグリッドアレー(LGA)パッケージで提供され、従来のSOT-23パッケージのロードスイッチに比べて80%小型化した。実装面積は1.2mm2で、接続パッド間のピッチは0.5mmのため、実装も容易だ。

 既に量産出荷を開始しており、1000個購入時の単価は、0.14米ドルとなっている。

Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

RSSフィード

公式SNS

EDN 海外ネットワーク

All material on this site Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
This site contains articles under license from AspenCore LLC.