定インピーダンス技術搭載のSPST吸収型RFスイッチ：IDT F2910

IDTは、コンスタントインピーダンス技術を搭載した広帯域SPST（単極単投）吸収型RFスイッチ「F2910」を発表した。線形性に優れ、挿入損失が低く、多様な無線およびRF用途に向く。

» 2016年11月28日 09時00分公開

[EDN Japan]

インピーダンス50-ohmを実現

F2910の製品外観

　IDTは2016年11月、広帯域SPST（単極単投）吸収型RFスイッチ「F2910」を発表した。周波数帯域が30M～8000MHzと幅広く、優れたRF性能を発揮する。4G／LTE-Advanced基地局、携帯無線アプリケーション、防災無線インフラなどの用途に向く。

　F2910は、独自のKz定インピーダンス技術を搭載。RFポート間のスイッチンで、ほぼ一定のインピーダンスを維持し、ホットスイッチの耐久性を向上させる。アイソレーションモード時に出力ポート終端で、インピーダンス50Ωも実現するという。

　4GHz時の性能は、ILが0.67dB、アイソレーションが41dB、RLが20dB、IIP3が65dBm、IIP2が118dBm、P1dBが＋35dBmとなっている。また、単一電源を使用し、3.3V／1.8V制御信号をサポート。設計が容易になる。スイッチング時間は265ナノ秒、温度範囲－55℃～＋105℃で動作する。他社品とピン互換が可能である。

新しいMEMS技術を実用化したRFスイッチ
アナログ・デバイセズは2016年11月、新しいMEMSスイッチ技術を開発し、この技術に基づいて実用化したRF MEMSスイッチ「ADGM1304」「ADGM1004」を発表した。自動試験装置（ATE）や、その他の測定機器の精度と多様性を大幅に向上させるという。
マクロ基地局向け高出力LDMOSパワートランジスタ
NXPセミコンダクターズは、1805M～2690MHzで動作する携帯電話のマクロ基地局向けのLDMOSトランジスタ「Airfast 3 RFパワートランジスタ」を発表した。最大53％の効率を達成している。
300M～6GHzの周波数に対応したゼロIFI／Q復調器
リニアテクノロジーは、動作周波数範囲300MHz～6GHzのダイレクトコンバージョンI／Q復調器「LTC5586」を発売した。80dBmのOIP2と60dBcの側波帯抑制で、レシーバー性能を改善する。
オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ
日本テキサス・インスツルメンツは、60V動作のNチャネルパワーFemtoFETトランジスタを発表した。オン抵抗は54mΩで、従来のロードスイッチに比べ、システムの電力損失を90％削減できる。