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GaN半導体をベースとした三相インバーター：日本TI TIDA-00915

日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は、GaN（窒化ガリウム）半導体をベースとした三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」を発表した。GaNパワーステージ「LMG3410」を搭載し、24kHz時に99％以上の高効率動作を可能にした。

» 2017年07月06日 09時00分公開

[EDN Japan]

シリコンFETの5倍までの速度でスイッチング

　日本テキサス・インスツルメンツ（日本TI）は2017年6月、GaN（窒化ガリウム）半導体をベースとした三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」を発表した。FETやゲートドライバ、保護機能を集積したGaNパワーステージ「LMG3410」を搭載し、パルス幅変調（PWM：Pulse Width Modulation）周波数100kHz時に98％以上、24kHz時に99％以上の高効率動作を可能にした。

三相インバーターのレファレンスデザイン「TIDA-00915」

　同レファレンスデザインに搭載するLMG3410は、シリコンFETの5倍までの速度でスイッチングが可能で、最小限の電流リップルで低インダクタンスのモーターを駆動できる。日本TIのドライブ制御SoC（System on Chip）「TMS320F28379D」などのマイコン製品と接続でき、電圧周波数の調整や高速の電流ループ制御に対応。スイッチノードの電圧リンギングなしで、25ナノ秒以下のスイッチングとEMI（電磁妨害）低減を可能にした。

　他に、同社の絶縁型デルタ-シグマ型モジュレータ「AMC1306」も複数搭載。電流センシングにより、モーター制御性能が向上している。また、デジタルアイソレータ「ISO7831」により、三相インバーターのレファレンスデザインに搭載された6個のPWMとマイコンとの間に強化絶縁機能を提供する。

　同レファレンスデザインは、同社のサイトからダウンロードが行える。

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