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15k～40kHzで動作するディスクリートIGBT：インフィニオン 1200V TRENCHSTOP IGBT6

インフィニオンテクノロジーズは、15k～40kHzのスイッチング周波数で動作する、ディスクリートIGBTデュオパック「1200V TRENCHSTOP IGBT6」の提供を開始した。

» 2018年08月17日 09時00分公開

[EDN Japan]

12インチウエハー上で生産

　インフィニオンテクノロジーズは2018年7月、15k～40kHzのスイッチング周波数で動作する、ディスクリートIGBTデュオパック「1200V TRENCHSTOP IGBT6」の提供を開始した。12インチウエハー上で生産されたもので、無停電電源、ソーラーインバーター、バッテリーチャージャー、電力ストレージなどの用途を見込む。

「1200V TRENCHSTOP IGBT6」TO-247パッケージ

　1200V TRENCHSTOP IGBT6は、同社の「S6」「H6」シリーズという2つの製品ファミリーとして提供される。S6シリーズは、Highspeed3 H3の低いスイッチング損失と1.85Vの低い導通損失を組み合わせている。H6シリーズは、低スイッチング損失に最適化され、前世代の「H3」に比べて総スイッチング損失を約15％低くした。

　アプリケーション上でのテストでは、Highspeed3 IGBTをIGBT6 S6シリーズに置き換えた場合、最大0.2％効率が改善したという。また、正の温度係数を持ち、デバイスの並列使用ができる。優れたゲート抵抗制御性により、用途に合わせてIGBTのスイッチング速度を調整することも可能だ。

　現在量産中で、15Aと40AのIGBTは、ハーフまたはフル電流定格の還流ダイオードと共にTO-247-3パッケージに組み込まれた。75Aのディスクリート製品は、75AのIGBTと還流ダイオードが3ピンまたは4ピンのTO-247PLUSパッケージに実装されている。

シャント抵抗を内蔵したIGBTモジュール
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定格75Aを可能にしたパワー半導体モジュール
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SiC、GaNパワー半導体対応の絶縁ゲートドライバ
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最大級の電流密度を誇るパワー半導体モジュール
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スイッチング電源の焼損
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