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EV充電向けのSiC MOSFETモジュール：オンセミ NXH010P120MNF1、NXH006P120MNF2

オン・セミコンダクターは、EV充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。プレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧に対応する。

» 2021年06月18日 09時00分公開

[EDN Japan]

　オン・セミコンダクターは2021年6月、EV（電気自動車）充電ステーション向けの1200VフルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」を発表した。単価は、NXH010P120MNF1が約88.0米ドル、NXH006P120MNF2が約213.3米ドルとなる。

駆動電圧18〜20Vにより負のゲート電圧で動作

フルSiC MOSFET 2パックモジュール「NXH010P120MNF1」「NXH006P120MNF2」

　両製品ともプレーナー技術を活用し、18〜20Vの駆動電圧により負のゲート電圧でも容易に動作する。トレンチ型に比べてチップが大きく、熱抵抗が小さいため、同じ動作温度でもチップの温度を下げられる。

　2パックのハーフブリッジ構成になっており、パッケージにはプレスフィットピンを採用した。また、温度のモニタリング用に、NTC（負の温度係数）サーミスタを搭載している。

　ドレインソース間オン抵抗は、NXH010P120MNF1が10mΩ、NXH006P120MNF2が6mΩ。外形サイズはそれぞれ、33.8×42.5mm、56.7×42.5mmとなっている。同社のデュアルチャンネル絶縁型IGBT、MOSFETゲートドライバなどと組み合わせることで、EV充電エコシステムに使用できる。

高速スイッチングを達成、定格1200VのSiC MOSFET
リテルヒューズは、定格電圧1200VのSiC MOSFET「LSIC1MO120E0080」シリーズを発売した。定格電流は25Aで、通常オン抵抗は80mΩ、最大150℃の温度で動作する。
1200V、80mΩの産業・車載向けSiC MOSFET
オン・セミコンダクターは、産業用・車載用として認証済みのNチャンネルSiC MOSFETの新製品を発表した。インダストリアルグレードの「NTHL080N120SC1」と、AEC-Q101準拠のオートモーティブグレードの「NVHL080N120SC1」を提供する。
最大60VのハイサイドNチャネルMOSFETドライバ
アナログ・デバイセズ（ADI）は、最大60Vの電源電圧で動作する、高速ハイサイドNチャネルMOSFETドライバ「LTC7003」を発売した。内蔵のチャージポンプにより、100％のデューティサイクルを可能にした。
＋20／－5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。
5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット（ECU）の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。