高スイッチング周波数用途向け第6世代のMOSFET：インフィニオン OptiMOS 6 100V

インフィニオン テクノロジーズは、高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリーを発表した。伝導損失とスイッチング損失の低減を両立し、部品の並列化を最小限に抑える。

[EDN Japan]

　インフィニオン テクノロジーズは2021年11月、高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリーを発表した。オン抵抗とスイッチング性能を改善しており、通信インフラやソーラーエネルギーシステムに適する。

ドレインソース間オン抵抗を前世代比18％低減

　OptiMOS 6 100Vは、安全動作領域（SOA）が広く、バッテリー駆動アプリケーションやバッテリーマネジメントシステムにも利用できる。前世代のOptiMOS 5と比べて、R_DS（on）（ドレインソース間オン抵抗）を18％低減し、性能指数（FOM）を30％以上改善した。伝導損失とスイッチング損失の低減を両立し、熱設計を容易にしている。また、部品の並列化を最小限に抑えて、高効率、電力密度の向上、システムコストの削減と寿命の延長を可能にする。

高スイッチング周波数アプリケーション向けMOSFET「OptiMOS 6 100V」ファミリー

　同社の試算によると、R_DS（on）2.2mΩのSuperSO8パッケージ品をZVS（ゼロボルトスイッチング）降圧型コンバーターに搭載した場合は、全負荷範囲で効率を1％改善し、電力損失を7W削減、電力密度を最大15％向上できる。

　EUの家庭でテレコム用中間バスコンバーターの一次側をOptiMOS 5からOptiMOS 6に置き換えると、170世帯分の年間電力量を削減できる。これにより、10年間で100万ユーロ（約1億3000万円）のエネルギー消費を抑えられるとしている。

　幅広いR_DS（on）クラスがあり、SuperSO8 5×6およびPQFN 3.3×3.3パッケージで提供する。