第3世代SiCパワーMOSFET採用のパワーモジュール：STマイクロ ACEPACK DRIVE

STマイクロエレクトロニクスは、SiCパワーモジュール「ACEPACK DRIVE」の新製品5種を発表した。いずれも同社の第3世代「STPOWER」SiCパワーMOSFETを採用している。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2023年1月、SiC（炭化ケイ素）パワーモジュール「ACEPACK DRIVE」の新製品5種を発表した。1200V耐圧の「ADP280120W3」「ADP360120W3」「ADP480120W3（-L）」は既に量産を開始。750V耐圧の「ADP46075W3」「ADP61075W3」は2023年3月までの量産開始を計画している。

SiCパワーモジュール「ACEPACK DRIVE」 出所：STマイクロエレクトロニクス

　5製品とも、同社の第3世代「STPOWER」SiCパワーMOSFETを採用。前世代品と比較して電力密度や電力効率に優れていて、EV（電気自動車）の性能向上や航続距離延長、充電時間短縮に寄与する。

最大接合部温度は175℃

　最大接合部温度は175℃となる。プレスフィット接続や基板へのダイ焼結処理を用いていて、車載アプリケーションでの長寿命化に寄与する。直接液冷方式をサポートし、ピンフィンアレイにより熱損失を低減。トラクションインバーターにおけるプラグアンドプレイに対応した。

　また、熱効率や機械的強度に優れるAMB（アクティブメタルブレイズ）基板技術を採用し、各基板には専用のNTCサーミスターを実装した。溶接とネジ止めバスバーのいずれかを選択できるため、さまざまな実装要件に対応できる。ロングバスバーオプションにより、モーター電流をモニタリングするホールセンサーも選択できる。

　なお、現代自動車がEVプラットフォーム「E-GMP」に同製品群を採用していて、同社のEV「KIA EV6」への搭載が予定されている。