1セルリチウムイオン電池向け温度保護機能付きハイサイド保護IC：過充電検出精度は±12mV

日清紡マイクロデバイスは、1セルリチウムイオン電池向け温度保護機能付きハイサイド保護IC「NB7120」シリーズを発売する。過充電検出精度および充放電過電流検出精度を高めた。

[EDN Japan]

　日清紡マイクロデバイスは2024年5月、1セルリチウムイオン電池向け温度保護機能付きハイサイド保護IC「NB7120」シリーズを発売する。月産規模1000万個で、既にサンプル受注を開始している。サンプル単価は、1000個購入時の参考価格単価が110円（税込）となっている。

1セルリチウムイオン電池向け温度保護機能付きハイサイド保護IC「NB7120」シリーズ 出所：日清紡マイクロデバイス

高い過充電検出精度および充放電過電流検出精度

　NB7120シリーズは、ハイサイドNチャネルMOSFET駆動タイプで、システム側と電池パック側のグラウンドレベルに差を生じさせないため通信が容易になる。

　過充電検出精度（−20〜＋60℃）は、セル検出電圧範囲4.2〜6Vで±12mVと高精度で、充放電過電流検出精度も高く機器の安全性を向上できる。過放電検出電圧は、セル検出電圧範囲2.0〜3.4Vで±35mVと高精度で、電池残量を下限付近まで使用でき、電池の使用時間延長に貢献する。

　消費電力は、通常動作時で代表値5.0μA、スタンバイ電流で最大0.04μAと低く、動作時低消費電流、低スタンバイ電流により、アプリケーション駆動時間の長時間化が可能となる。

　パッケージは、1.50×1.08×0.38mmのWLCSP-8-P15を採用した。