5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ：日清紡マイクロデバイス NT1819

日清紡マイクロデバイスは、5G基地局に適した吸収型SPDTスイッチ「NT1819」のサンプル配布を開始した。sub-6帯域で、60dB以上の高アイソレーションを達成している。

[EDN Japan]

　日清紡マイクロデバイスは2024年9月、5G（第5世代移動通信）基地局に適した吸収型SPDTスイッチ「NT1819」のサンプル配布を開始した。5G基地局でDPD（ひずみ補償）信号を集約する用途に適している。

5G基地局向け吸収型SPDTスイッチ「NT1819」 出所：日清紡マイクロデバイス

60dB以上の高アイソレーションを達成

　NT1819は、5Gで使用するsub-6帯域で60dB以上の高アイソレーションを達成し、隣接する素子間の干渉を低減できる。5G基地局向けRFICではDPD用端子数が限られているため、スイッチを使用して信号を集約する必要がある。NT1819は、隣接ブロックとの影響によるひずみ特性劣化などを防ぎ、PC-P1間とPC-P2間だけでなく、P1-P2間も含めて高いアイソレーションができる。

　50Ω終端を内蔵していて、インピーダンスの不整合を防止する。オン／オフのどちらの状態でも、インピーダンスを常に50Ωに保ち、回路が安定に動作する。

　5Gの主要周波数帯域である3.3G〜5.0GHz（n77、n78、n79）に加え、6.425G〜7.125GHz（n104）の追加を検討している。5.9G〜7.125GHzの帯域は、Wi-Fiや米国のUnlicensed帯を使用した通信でも利用されている。NT1819は、7.125GHzまで対応し、n104帯などの高い帯域を使用する通信方式でも利用可能だ。