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低オン抵抗の高速スイッチングパワーMOSFET：トレックス XPJ101N04N8R、XPJ102N09N8R

トレックス・セミコンダクターは、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」を発表した。低オン抵抗が特徴で、エネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に寄与する。

» 2025年01月28日 09時00分公開

[EDN Japan]

　トレックス・セミコンダクターは2025年1月、高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」および「XPJ102N09N8R」を発表した。両製品とも既に量産中で、参考価格はXPJ101N04N8Rが330円、XPJ102N09N8Rが180円（いずれも税込み）だ。

高速スイッチングパワーMOSFET「XPJ101N04N8R」「XPJ102N09N8R」出所：トレックス・セミコンダクター

低オン抵抗でエネルギー損失を抑制

　両製品とも、DC-DCコンバーターなどの各種電源に適した100V耐圧のNチャンネルMOSFETだ。低オン抵抗が特徴で、XPJ101N04N8Rは最大4.4mΩ、XPJ102N09N8Rは最大9.4mΩだ。これによってエネルギー損失を抑制し、システム全体の効率向上に貢献する。

　主な仕様は、XPJ101N04N8Rのドレイン電流が122A、ゲート総電荷量が40.5nC。XPJ101N09N8Rのドレイン電流が59A、ゲート総電荷量が19nCだ。最大接合温度は150℃

　パッケージは、両製品とも6.0×4.9×1.1mmサイズのDFN5060-8Lを採用している。鉛フリー対応で環境に配慮したという。

　高速スイッチング特性を必要とするDCモーター、汎用インバーター、DCスイッチング電源などの用途に適する。

オン抵抗を30％低減、100V耐圧のNチャネルMOSFET
ルネサスエレクトロニクスは、100V耐圧のNチャネルMOSFETの新製品として、TOLLパッケージ製品「RBA300N10EANS」および、TOLGパッケージ製品「RBA300N10EHPF」を発売する。
「STripFET F8」で電力効率が向上　40VパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、40VパワーMOSFET「STL300N4F8」「STL305N4F8AG」を発表した。強化したトレンチゲート技術を用いた「STripFET F8テクノロジー」を採用している。
検出抵抗なしで車載モーター駆動回路を制御　8チャンネルゲートドライバー
STマイクロエレクトロニクスは、車載向け8チャンネルゲートドライバー「L99MH98」を発表した。車載モーター駆動回路を、検出抵抗を使わずに構築できる。
オン抵抗を63％低減した200VパワーMOSFET
リテルヒューズは、ウルトラジャンクションX4クラス200VパワーMOSFET「IXTN400N20X4」「IXTN500N20X4」を発売した。現行品と比較して、最大2倍の電流定格と最大63％低いオン抵抗値を達成している。【訂正あり】
低遅延のハーフブリッジゲートドライバー
ネクスペリアは、最大バス電圧120V、ソース電流4Aのハーフブリッジゲートドライバー「NGD4300-Q100」「NGD4300」を発表した。低遅延のため、スイッチングのデューティサイクルを最大化し、デッドタイムを最小限に抑制する。