低遅延のハーフブリッジゲートドライバー：ネクスペリア NGD4300-Q100、NGD4300

ネクスペリアは、最大バス電圧120V、ソース電流4Aのハーフブリッジゲートドライバー「NGD4300-Q100」「NGD4300」を発表した。低遅延のため、スイッチングのデューティサイクルを最大化し、デッドタイムを最小限に抑制する。

[EDN Japan]

　ネクスペリアは2024年11月、最大バス電圧120V、ソース電流4Aのハーフブリッジゲートドライバー「NGD4300-Q100」「NGD4300」を発表した。低遅延のため、スイッチングのデューティサイクルを最大化し、デッドタイムを最小限に抑制する。

ハーフブリッジゲートドライバー「NGD4300-Q100」「NGD4300」 出所：Nexperia

立ち上がり時間は4ナノ秒、立ち下がり時間は3.5ナノ秒

　同製品は、同期整流式降圧コンバーターやハーフブリッジ回路向けのハイサイド／ローサイド両方のNチャンネルMOSFETの駆動に利用できる。立ち上がり時間は4ナノ秒、立ち下がり時間は3.5ナノ秒（いずれも代表値）で、高効率かつ高周波の動作、高速なシステム制御をサポートする。TTLとCMOSの論理レベルに準拠した入力制御信号に対応している。

　シンク電流は5Aで、ブートストラップダイオードを内蔵する。これによりシステム全体の設計を簡素化し、PCBを小型化できる。チャンネル間遅延の整合は1ナノ秒と低遅延だ。

　NGD4300-Q100は、車載規格に準拠し、電動パワーステアリングやパワーコンバーターで利用できる。NGD4300は、コンシューマーデバイス、サーバ、通信機器のDC-DCコンバーター、産業用アプリケーションで使用されるマイクロインバーターに適している。

　SOI（Silicon-on-Isolator）プロセスで製造していて、HSピンの負電圧耐性を−5Vまで拡張した。システム寄生成分や想定外のスパイクを原因とする損傷のリスクを低減できる。パッケージはDFN-8、SO-8、HSO-8を用意していて、アプリケーションによってサイズと熱特性のバランスを選択できる。