積層ダイ採用のハーフブリッジMOSFET、AOS：高密度電力変換用途に

Alpha & Omega Semiconductorは、積層ダイ構造を採用したハーフブリッジMOSFET「AOPL66801」を発表した。電力密度を高めるとともに、寄生インダクタンスを低減して高効率な電力変換を実現する。

[EDN]

メガワット級AIファクトリーから電動工具まで

　Alpha & Omega Semiconductor（AOS）は、積層ダイ構造を採用した「DFN6×5 AmpStack」パッケージを発表した。このパッケージは、高サイド／低サイドのハーフブリッジ構成となる2個のMOSFETを集積している。2個の個別DFN5×6 MOSFETを用いる構成と比べて電力密度を高め、プリント基板（PCB）の利用可能なスペースを最大限に活用できる。メガワット級AIファクトリーから電動工具まで、高密度電力変換用途に対応する。

[クリックで拡大] 出所：Alpha & Omega Semiconductor（AOS）

　80V MOSFET「AOPL66801」は、新しいハーフブリッジパッケージを採用した製品で、高サイドMOSFETと低サイドMOSFETを接続する最適化されたスイッチノードクリップを備える。このアーキテクチャによって、パッケージ内部の寄生インダクタンスを最小限に抑える。また、標準的なディスクリート構成と比べてPCBの寄生インダクタンスも低減し、フェーズノードの電圧リンギングを抑制するとともに、MOSFETに加わるストレスを軽減する。

　集積されたケルビンセンスピンは、高いdi/dtでのスイッチング時にもゲート電圧の安定性を維持する。専用接続によって高サイドゲートドライブ経路をより効果的に構成し、スイッチング損失の低減に寄与する。また、最大175℃の接合部温度に対応し、熱性能を向上させている。

　AOPL66801は量産中で、リードタイムは16週間。1000個購入時の単価は6.16米ドルだ。

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