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車載グレードの80V PチャンネルMOSFET：ビシェイ SQJA81EP

ビシェイ・インターテクノロジーは、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。10Vでのオン抵抗が前世代品と比較して31％低く、この低オン抵抗によって導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。

» 2021年04月20日 09時00分公開

[EDN Japan]

　ビシェイ・インターテクノロジーは2021年4月、車載用規格「AEC-Q101」に準拠した80VのPチャンネルMOSFET「SQJA81EP」を発表した。既にサンプル品および量産品の提供を開始しており、量産時の標準納期は14週間になっている。

　SQJA81EPは、10Vでのオン抵抗が最小17.3mΩ、標準14.3mΩで、同社の前世代品と比較して31％低くなっている。この低オン抵抗により、導通時の電力損失を抑え、電力密度を高める。電力密度の向上は、並列で使用する部品を減らし、基板の省スペース化に貢献する。

80V PチャンネルMOSFET「SQJA81EP」

優れたゲート電荷と低オン抵抗で最高クラスのFOM

　ゲート電荷は10Vで52nCになっていて、ゲートドライブでの損失を低減する。これにより、電力変換アプリケーションにおいて、最高クラスのFOM（性能指数：ゲート電荷×オン抵抗）を誇る。

　また、PチャンネルMOSFETであるSQJA81EPは、対のNチャンネル部品に必要なチャージポンプを必要としないため、簡素なゲートドライブ設計が可能になる。

　動作上限温度は＋175℃。高温環境下での動作が求められる車載用途に対応するため、逆極性保護やバッテリー管理、ハイサイドロードスイッチング、LED照明といった用途に適している。パッケージは、5.13×6.15mmでガルウィングリード付きのSO-8Lを採用した。

電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8％低い。
低オン抵抗汎用PチャンネルMOSFET
トレックス・セミコンダクターは、低オン抵抗で高速スイッチング特性を備えた、汎用PチャンネルMOSFET「XP23」シリーズを発表した。オン抵抗は0.33～5Ωで、耐圧は30V、ドレイン電流は0.2～1.5Aとなっている。
小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオンテクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
－40V、－60V耐圧の低オン抵抗Pch MOSFET
ロームは、産業機器や大型民生機器向けに、24V入力対応の－40Vおよび－60V耐圧Pチャンネル（Pch） MOSFETのシングル品および、デュアル品計24製品を開発した。オン抵抗は、－40V耐圧品で同社従来品比62％減、－60V耐圧品で同52％減となっている。
最新プロセス採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET
東芝デバイス＆ストレージは、最新世代プロセスを採用した80V耐圧NチャネルパワーMOSFET「U-MOS X-H」シリーズを発売した。「TPH2R408QM」「TPN19008QM」の2種を用意する。同社の従来品と比較して、ドレインソース間オン抵抗を約40％低減した。
負電圧電源をロジック信号でオン／オフする
今回は、ロジック信号によって負電圧電源を素早くオン／オフするときに役立つ回路を紹介する。