ビシェイが「2012年の注目製品群」をずらり展示、600Vの超低オン抵抗MOSFETなど：TECHNO-FRONTIER 2012 電子部品

ディスクリート半導体と受動部品を手掛けるビシェイは、4月に発表した「2012年の注目製品群」を数多く出品した。600V耐圧の超低オン抵抗MOSFETや、薄型の大電流インダクタの新型品などである。

[薩川格広，EDN Japan]

　ディスクリート半導体と受動部品の大手メーカーであるVishay Intertechnologyの日本法人ビシェイジャパンは、2012年4月に発表した「2012年の注目製品群」の多くを「TECHNO-FRONTIER 2012（テクノフロンティア2012）」（2012年7月11〜13日、東京ビッグサイト）に出品した。同社は毎年、その年の注目製品として12の製品を選び、「Super 12」と呼んで発表している。

　ディスクリート半導体では、600V耐圧のパワーMOSFET「SiHG73N60E Eシリーズ」などを展示した。同シリーズは、オン抵抗が低いことを特徴として訴求しており、具体的にはゲート・ソース間電圧が10Vの時の値が39mΩである。ゲート電荷も最大362nCと低く抑えた。「このオン抵抗は、耐圧が同程度の従来のMOSFETに比べて30％程度低く、業界最小レベル。LED照明や太陽光発電といった応用分野で今後、需要が伸びる」（ビシェイジャパン）という。

「SiHG73N60E Eシリーズ」を紹介するパネルである。　（クリックで画像を拡大）

　受動部品では、各種機器の電源回路に向けた薄型の大電流インダクタ「IHLP 3232シリーズ」などを展示した。このシリーズは、同社が従来からラインアップしていたIHLP製品群に新たに追加した中型サイズ品で、寸法は約0.32インチ（8.18mm）角である。「これまでも約0.25インチ（6.35mm）角と約0.40インチ（10.16mm）角の品種をとりそろえていたが、この拡充でユーザーの設計自由度がいっそう高まる」（同社）としている。

「IHLPシリーズ」の展示である。2012年の注目製品に挙げた0.32インチ品の他、従来からラインアップしていたサイズ違いの品種も出品した。　（クリックで画像を拡大）

　この0.32インチ角品には、インダクタンス値が0.22μ〜10.0μH（100kHzにおいて）の範囲で異なる品種を用意した。厚みは3mmもしくは4mm。直流重畳特性が高いことも訴求しており、具体的には0.22μH品で34.0A、10.0μH品で9.0Aを確保した（いずれもインダクタンス値が20％低下する条件）。

写真向かって左はビシェイジャパン 代表取締役社長の小澤政治氏、右はVishay Intertechnology Senior Director, Global Internet MarketingのCraig Hunter氏