DOCSIS 3.1規格対応の単極双投吸収型RFスイッチ：IDT F2970

IDTは2016年12月、単極双投（SPDT）吸収型の75ΩRFスイッチ「F2970」を発表した。周波数範囲は5M～3000MHzで、データ転送のための国際規格「DOCSIS 3.1」に対応した。

» 2017年01月06日 09時00分公開

[EDN Japan]

挿入損失0.32dB

RFスイッチ「F2970」

　IDTは2016年12月、単極双投（SPDT）吸収型の75ΩRFスイッチ「F2970」を発表した。周波数範囲は5M～3000MHzで、データ転送のための国際規格「DOCSIS 3.1（Data Over Cable Service Interface Specification）」に対応している。

　動作温度範囲は－40～105℃となっており、1200MHz時の挿入損失は0.32dB、アイソレーションは68dBとなる。44dBmV出力の77および110チャンネルにより、－90dBcの複合三次歪と複合二次歪特性を備えた。

　2.7～3.6Vの供給電圧で動作し、3.3Vのロジックをサポート。パッケージには、4×4mmの20ピンQFNを採用した。1000個購入時の単価は93セント、評価ボードは125米ドル。同社では、ヘッドエンドからファイバーノード、分配増幅器まで、次世代のケーブルテレビ機器やブロードバンドアプリケーションでの用途を見込む。

動作電流を5μAに低減したアナログコンパレーター
STマイクロエレクトロニクスは2016年11月、デュアル／クアッド型の16V CMOSアナログコンパレーターを発表した。コンパレーター当たりの標準動作電流を5μAに低減しているという。
新しいMEMS技術を実用化したRFスイッチ
アナログ・デバイセズは2016年11月、新しいMEMSスイッチ技術を開発し、この技術に基づいて実用化したRF MEMSスイッチ「ADGM1304」「ADGM1004」を発表した。自動試験装置（ATE）や、その他の測定機器の精度と多様性を大幅に向上させるという。
300M～6GHzの周波数に対応したゼロIFI／Q復調器
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オン抵抗54mΩの60V パワーFemtoFETトランジスタ
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