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4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET：東芝 TPH6R30ANL／TPH4R10ANL

東芝ストレージ＆デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。

» 2017年01月27日 09時00分公開

[EDN Japan]

最大6.3mΩのR_DS（ON）

　東芝ストレージ＆デバイスソリューション社は2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。スイッチング用途での要求性能指数となる「R_DS（ON）×Q_sw」を低減し、低オン抵抗と高速性能を可能した。高速充電器やスイッチング電源、サーバおよび通信インフラ用のDC-DCコンバーターなどに活用できる。

NチャンネルパワーMOSFET

　両製品は、低耐圧トレンチ構造の高速プロセスを採用。R_DS（ON）（ドレインソース間オン抵抗）をTPH6R30ANLで最大6.3mΩ、TPH4R10ANLで4.1mΩ（いずれも10V時）に抑えた。Q_sw（ゲートスイッチ電荷量）は、それぞれ14nC、21nCとなっている。また、出力電荷量をそれぞれ46nCと74nCに低減することで、出力損失を改善し、応用機器の効率化を可能にした。

　コントローラーICからバッファレスの駆動も可能で、システムを低消費電力化して電源の高出力電圧化にも対応する。ドレインソース間電圧はいずれも100Vで、ドレイン電流はTPH6R30ANLが45V、TPH4R10ANLが70V。SOP Advanceパッケージで提供される。

最大効率97％を実現した60V DC-DCコントローラ
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最小1.0mΩオン抵抗を実現したハイサイドスイッチ
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消費電流を0.35μAに抑えたLDOレギュレーター
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温度保護機能付きの2次電池1セル用保護IC
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