インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。
インフィニオンテクノロジーズは2017年1月、疑似共振(QR)フライバック方式に対応する、耐圧700VのパワーMOSFET「700V CoolMOS P7」ファミリーを発表した。同社のNチャネルパワーMOSFET「CoolMOS」の新シリーズとなる。
従来製品に比べてスイッチング損失(EOSS)を27〜50%低減し、スマートフォンやタブレット用充電器、ノートPCのアダプターなど、ソフトスイッチング方式で強みを発揮する。フライバック方式の充電器に使用した場合、効率が最大3.9%向上し、デバイス温度を最大16℃抑えることができる。同社従来の耐圧650V製品に比べ、2.4%の効率向上と12℃の温度低下が可能になるという。
またツェナーダイオードを内蔵し、ESD(静電気放電)耐性をHBM(人体モデル)クラス2まで高めた。RDSON×QGおよびRDSON×EOSSによる性能指標(FOM)が低いため、損失を低く抑えることが可能。ゲートしきい値電圧(VGSth)は3V、許容誤差は±0.5Vで開発され、より低いゲートソース電圧を使用できる。
360〜1400mΩ品を現在、IPAK SL/DPAK/TO-220FPパッケージで提供している。
中国の最新市場動向から誘導モーターの高効率化について考えよう
2.3MHzの高周波動作が可能なDCーDCコンバーター
漏れインダクタンスを使用したフライバックコンバーター(2) 平均モデル化
4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFETCopyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
記事ランキング