1200V／3A駆動のガルバニック絶縁ゲートドライバー：クランプ回路を内蔵

STマイクロエレクトロニクスは、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。すでに量産を開始している。

[EDN Japan]

　STマイクロエレクトロニクスは2026年8月、ガルバニック絶縁ゲートドライバー「STGAP3S」ファミリーに、最大駆動電流3Aの「STGAP3S3」シリーズを追加した。炭化ケイ素（SiC）MOSFET向けの「STGAP3S3S」とIGBT向けの「STGAP3S3IF」が含まれる。すでに量産を開始していて、1000個購入時の単価は約1.93米ドル（約305円）だ。

「STGAP3S3」シリーズ［クリックで拡大］出所：STマイクロエレクトロニクス

　同シリーズは、クランプ用MOSFETを含むアクティブミラークランプ回路を内蔵。意図しないパワースイッチのターンオンを防ぎ、貫通電流の発生を抑制する。クランプ用MOSFETを集積したことで、部品点数の削減や基板面積の縮小、回路設計の簡素化にもつながる。

最大1200Vの高電圧レールで動作

　新シリーズを含むSTGAP3Sファミリーは、力率補正（PFC）回路や電源ユニット、DC-DCコンバーター、インバーターで最大1200Vの高電圧レールで動作する。非飽和（DESAT）検出による保護機能とソフトターンオフ機能を備え、過負荷や短絡時に電圧と電流の変化を制御し、パワースイッチを保護する。

　低電圧ロックアウト（UVLO）やサーマルシャットダウン、診断ピン、負のゲート電圧印加機能も備え、異常時の安全性を高めた。強化したガルバニック絶縁技術により、最大9.6kVの過渡電圧からパワー回路を保護する。コモンモード過渡耐性は最大200V/ナノ秒で、UL 1577とIEC 60747-17の安全、絶縁規格にも適合した。

　同ファミリー向けの評価ボードとして、「EVLSTGAP3S3S」「EVLSTGAP3S3IF」を提供する。保護機能を設定したハーフブリッジ評価ボードで、テストポイントや診断用LEDを備えた。主な用途として、充電ステーションやエネルギー貯蔵システム（ESS）、産業用電気自動車、太陽光発電用インバーター、誘導加熱装置、汎用ドライブ、ポンプ、ファンなどを想定する。