高速リカバリ対応の600V耐圧パワーMOSFET:STマイクロ MDmesh DM6ファミリー
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリボディダイオードを内蔵した、600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーを発表した。
STマイクロエレクトロニクスは2019年1月、高速リカバリボディダイオードを内蔵した、600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーを発表した。電気自動車の充電器、通信基地局やデータセンターのパワーコンバーター、太陽光発電システム用インバーターなどに適している。
MDmesh DM6ファミリーは、定格電流が15〜72A、ゲート電荷が20〜117nC、オン抵抗が0.240〜0.036Ωの23品種を用意する。同社のキャリアライフタイム制御技術により、逆回復時間を短縮し、フリーホイール後の逆回復時に発生するダイオードの電力損失を最小限に抑える。容量プロファイルが軽負荷時の動作に特化されており、より高い動作周波数、効率化の向上に加え、温度管理の簡略化やEMI(電磁干渉)低減が可能だ。
600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh DM6」ファミリーのイメージ
現在量産中で、パッケージは低インダクタンスリードレスTO-LL、PowerFLAT 8×8 HV、D2PAK、TO-220、TO-247で提供する。TO-247はショートあるいはロングリードから選択できる。
- 高効率のSJ型600V耐圧パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、スーパージャンクション型の600V耐圧パワーMOSFET「MDmesh M6」シリーズを発表した。低消費電力が求められる機器向けのLLC共振コンバーターやハードスイッチングトポロジにおいて、優れた効率を発揮する。
- 車載規格AEC-Q101準拠の80VデュアルパワーMOSFET
Nexperiaは、LFPAK56D(デュアルパワーSO8)パッケージを採用した、車載向け80VデュアルパワーMOSFETの新製品を発表した。車載規格AEC-Q101に準拠し、エンジンマネジメントやトランスミッション制御、ABS(Antilock Brake System)などに向く。
- 車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品
東芝デバイス&ストレージは、車載用40V耐圧NチャンネルパワーMOSFETの新製品「TPHR7904PB」「TPH1R104PB」を発表した。低抵抗で小型のパッケージを採用することで、低オン抵抗特性を実現した。
- 高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。
- 5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。
- 4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。
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