高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET:STマイクロ MDmesh DK5シリーズ
STマイクロエレクトロニクスは、高速リカバリーダイオードを内蔵したスーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。
STマイクロエレクトロニクスは2017年5月、高速リカバリーダイオードを内蔵した、スーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。ゼロ電圧スイッチングを備えたLLC共振コンバーターなど、さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。
スーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズ
定格電圧は950〜1050Vで、プレーナ型のパワーMOSFETに比べてダイ面積当たりのオン抵抗が低い。また、クラス最高の逆回復時間と優れたスイッチング特性を備えている。これらの特徴により、ゼロ電圧スイッチング(ZVS)を搭載したLLC共振コンバーターなどの高効率化に貢献する。また、高バス電圧で動作する通信、データセンター用サーバ、工業用溶接機、X線装置など、大電力装置用コンバーターにも活用できる。
ラインアップは950V耐圧品が4種、1050V耐圧品が2種の計6種類をそろえ、TO-247、TO-247ロングリード、Max247、ISOTOPパッケージで提供される。オン抵抗は、950V耐圧品が最大0.13Ωまたは0.33Ω、1050V耐圧品が最大0.12Ωとなる。
現在、950V耐圧TO-247パッケージの「STW40N95DK5」、同TO-247ロングリードパッケージの「STWA40N95DK5」、1050V耐圧Max247パッケージの「STY50N105DK5」の量産中。1000個購入時の単価は約8.85米ドルとなる。
- 小電力から大電力まで対応する高耐圧MOSFET
インフィニオン テクノロジーズは、600Vのブレークダウン電圧で動作する高耐圧MOSFET「600V CoolMOS P7」「600V CoolMOS C7 Gold」を発表した。サーバや通信、太陽光発電、充電器などの用途で電力密度を高めることができる。
- MOSFETの実効容量値を簡単に求める術
MOSFETのデータシートには、1つの測定電圧での出力静電容量値が記載されています。この値は、従来のプレーナ型MOSFETには有効でしたが、スーパージャンクションなど複雑な構造を用いる最新のMOSFETの評価には適していません。本稿では、最新のMOSFETの評価に有効な実効容量値を、より簡単に求める方法を探っていきます。
- +20/−5VのSiC MOSFET用DC-DCコンバーター
ベルニクスは2016年5月、SiC MOSFETを効率良くスイッチできる絶縁型DC-DCコンバーター「RxxP22005D」「RKZ-xx2005D」シリーズを発売した。
- パワー半導体の基礎知識
半導体分野の中でも、地味な存在と思われがちなパワー半導体。「パワー半導体って聞いたことはあるけど、よく分からない」という方も多いはず。でも、実は世の中の省エネ化の鍵を握る重要なデバイスです。パワー半導体の役割や働き、その種類などパワー半導体の「基礎の基礎」を紹介します。
- 5×6mm両面放熱PKGに封止した車載パワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスが、車載用モータ制御アプリケーション、バッテリー逆接続防止、高性能電源スイッチングに適した40V耐圧パワーMOSFET「STLD200N4F6AG」と「STLD125N4F6AG」を発表した。STLD200N4F6AGとSTLD125N4F6AGは、車載用電子制御ユニット(ECU)の電力密度を高める両面放熱パッケージに封止されている。
- 4.5Vロジックレベル駆動に対応したパワーMOSFET
東芝ストレージ&デバイスソリューションは2017年1月、100V耐圧で4.5Vのロジックレベル駆動に対応したNチャンネルパワーMOSFET「TPH6R30ANL」「TPH4R10ANL」を発表した。高速充電器やスイッチング電源、通信インフラ用のDC-DCコンバーターに活用できる。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.