電力密度を向上できる、60VのNチャネルMOSFET:ビシェイ SiSS22DN
ビシェイ・インターテクノロジーは、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は4mΩと、競合製品に比べて4.8%低い。
ビシェイ・インターテクノロジーは2019年8月、60VのNチャネルMOSFET「SiSS22DN」を発表した。標準ゲートドライブ向けに最適化され、オン抵抗は10Vで4mΩ。AC-DCおよびDC-DCトポロジーの同期整流、DC-DCコンバーターの1次スイッチングなどの用途に対応する。
NチャネルMOSFET「SiSS22DN」
ゲート電荷は22.5nC、出力電荷は34.2nCと低く、スイッチングトポロジーの効率性と電力密度を向上できる。オン抵抗は競合製品に比べて4.8%低い。出力電荷34.2nCは、クラス最高レベルのオン抵抗と出力電荷の積、または性能指数(FOM)を提供するという。
標準ゲートしきい値電圧とミラープラトー電圧は、6V以上のゲート駆動電圧回路向けに強化。最適なダイナミック特性を提供することで、同期整流アプリケーションにおけるデッドタイムを短縮し、シュートスル−を防止する。
3.3×3.3mmのPowerPAK 1212-8Sパッケージを採用し、PCBスペースを従来比65%削減する。全数RgおよびUIS試験済みで、RoHSに準拠する。現在、サンプルと製品を提供している。
- 高電圧対応のセラミックディスクコンデンサー
ビシェイ・インターテクノロジーは、50kVDC(34kVRMS)までの高電圧に対応した、ねじ端子のセラミックディスクコンデンサー「Cera-Mite 715CxxKT」シリーズを発表した。
- IrDA準拠の赤外線トランシーバモジュール
ビシェイ・インターテクノロジーは、IrDA準拠の赤外線トランシーバモジュール「TFBR4650」を発表した。標準サイズ6.8×2.8×1.6mmで提供され、他社製部品の代替として利用可能で、PCB再設計が不要だ。
- 低順方向電圧降下100V、120Vダイオード
ビシェイ・インターテクノロジーは100V、120Vの TMBS Trench MOSバリアショットキーダイオード4種を発表した。5Aの順方向電圧降下が0.36〜0.49Vと低いため、電力損失を削減して、効率性を向上する。
- 小型で低DCRの汎用高温動作対応インダクター
ビシェイ・インターテクノロジーは、小型で低DCRの汎用高温動作対応インダクター「IHSR-4040DZ-51」を発表した。標準パワーインダクターと比較してDCRが50%低く、4mmと低背であるため搭載製品のサイズダウンに貢献する。
- 車載用途向けフォトトランジスタオプトカプラ
ビシェイ・インターテクノロジーは、AEC-Q101に準拠した、車載向けのフォトトランジスタオプトカプラ「VOMA617A」を発表した。電流伝達率(CTR)は50〜600%、順方向電流は5mAで、高電流伝達率と低順方向電流を兼ね備えた。
- AEC-Q101規格に準拠した小型透過型光センサー
ビシェイ・インターテクノロジーは、AEC-Q101準拠の透過型光センサー「TCUT1630X01」「TCUT1800X01」を発表した。
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